О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE60H10K

NCE60H10K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60H10K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.85V@250uA ток 100A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.8mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60H10K
  • PDF NCE60H10K.pdf
Консультация
NCE40H12K

NCE40H12K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H12K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 120A мощность (Pd)  120W канал N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40H12K
  • PDF NCE40H12K.pdf
Консультация
NCE3010S

NCE3010S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3010S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 10A мощность (Pd)  2.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 12mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3010S
  • PDF NCE3010S.pdf
Консультация
NCE3407

NCE3407-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3407
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 4.1A мощность (Pd)  1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии 65mΩ@10V,4.1A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3407
  • PDF NCE3407.pdf
Консультация
NCE6075K

NCE6075K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6075K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение 4V@250uA ток 75A мощность (Pd)  110W канал N сопротивление в открытом состоянии 11.5mΩ@10V,30A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6075K
  • PDF NCE6075K.pdf
Консультация
NCE0224K

NCE0224K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0224K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 4V@250uA ток 24A мощность (Pd)  150W канал N сопротивление в открытом состоянии 80mΩ@10V,15A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0224K
  • PDF NCE0224K.pdf
Консультация
NCE4953

NCE4953-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4953
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 5.1A мощность (Pd)  2.5W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии 55mΩ@10V,5.1A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4953
  • PDF NCE4953.pdf
Консультация
NCE01P03S

NCE01P03S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P03S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 1.9V@250uA ток 3A мощность (Pd)  2.5W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии 170mΩ@10V,3A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P03S
  • PDF NCE01P03S.pdf
Консультация
NCE60P82AK

NCE60P82AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P82AK
  • КорпусTO-252-2L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 82A мощность (Pd)  150W канал P сопротивление в открытом состоянии 13mΩ @ VGS=-10V корпус TO-252-2L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P82AK
  • PDF NCE60P82AK.pdf
Консультация
NCEP30T13GU

NCEP30T13GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP30T13GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.7)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.7V@250uA ток 130A мощность (Pd)  80W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.7mΩ@10V,65A корпус DFN-8(4.9x5.7) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP30T13GU
  • PDF NCEP30T13GU.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 5859606162636465...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd