О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE0115K

NCE0115K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0115K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 15A мощность (Pd)  50W канал N сопротивление в открытом состоянии 90mΩ@10V,10A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0115K
  • PDF NCE0115K.pdf
Консультация
NCEP01ND35AG

NCEP01ND35AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP01ND35AG
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2V@250uA ток 35A мощность (Pd)  50W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии 18mΩ@10V,20A корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP01ND35AG
  • PDF NCEP01ND35AG.pdf
Консультация
NCE4080K

NCE4080K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4080K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 80A мощность (Pd)  80W канал N сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4080K
  • PDF NCE4080K.pdf
Консультация
NCEP40T13GU

NCEP40T13GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T13GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 130A мощность (Pd)  80W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.3mΩ@10V,65A корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T13GU
  • PDF NCEP40T13GU.pdf
Консультация
NCE65T180D

NCE65T180D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T180D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 21A мощность (Pd)  180W канал N сопротивление в открытом состоянии 180mΩ@10V,10.5A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T180D
  • PDF NCE65T180D.pdf
Консультация
NCEP02515K

NCEP02515K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02515K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 250V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 15A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 200mΩ@10V,15A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02515K
  • PDF NCEP02515K.pdf
Консультация
NCE4614

NCE4614-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4614
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток N,8A-P,-7A мощность (Pd)  2W канал N and P сопротивление в открытом состоянии - корпус  SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4614
  • PDF NCE4614.pdf
Консультация
NCE3404

NCE3404-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3404
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd)  1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии 31mΩ@10V,5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3404
  • PDF NCE3404.pdf
Консультация
NCE3400X

NCE3400X-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3400X
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 5.1A мощность (Pd)  1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии 55mΩ @ VGS=2.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3400X
  • PDF NCE3400X.pdf
Консультация
NCE2305

NCE2305-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2305
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 4.1A мощность (Pd)  1.7W канал P сопротивление в открытом состоянии 52mΩ@4.5V,4.1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2305
  • PDF NCE2305.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 5960616263646566...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd