О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE4009S

NCE4009S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4009S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2V@250uA ток 9A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 16mΩ@10V,8A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4009S
  • PDF NCE4009S.pdf
Консультация
NCEP60T12AK

NCEP60T12AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP60T12AK
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.4V@250uA ток 120A мощность (Pd)  180W канал N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,60A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP60T12AK
  • PDF NCEP60T12AK.pdf
Консультация
NCE60P04R

NCE60P04R-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P04R
  • КорпусSOT-223-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 4.3A мощность (Pd)  3.1W канал P сопротивление в открытом состоянии 106mΩ@10V,4A корпус SOT-223-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P04R
  • PDF NCE60P04R.pdf
Консультация
NCE40P13S

NCE40P13S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P13S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 13A мощность (Pd)  2.5W канал P сопротивление в открытом состоянии 15mΩ@10V,12A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P13S
  • PDF NCE40P13S.pdf
Консультация
NCEP4045GU

NCEP4045GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP4045GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 45A мощность (Pd)  28W канал N сопротивление в открытом состоянии 6mΩ@10V,20A корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP4045GU
  • PDF NCEP4045GU.pdf
Консультация
NCE65T260K

NCE65T260K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T260K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 15A мощность (Pd)  131W канал N сопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,8A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T260K
  • PDF NCE65T260K.pdf
Консультация
NCE0110K

NCE0110K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0110K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 9.6A мощность (Pd)  30W канал N сопротивление в открытом состоянии 140mΩ@10V,6A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0110K
  • PDF NCE0110K.pdf
Консультация
NCEP60T15G

NCEP60T15G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP60T15G
  • КорпусDFN-8(5.7x5.1)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 4V@250uA ток 150A мощность (Pd)  200W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.1mΩ@10V,20A корпус DFN-8(5.7x5.1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP60T15G
  • PDF NCEP60T15G.pdf
Консультация
NCE2302

NCE2302-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2302
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 4A мощность (Pd)  1W канал N сопротивление в открытом состоянии 59mΩ@2.5V,2.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2302
  • PDF NCE2302.pdf
Консультация
NCE40P07S

NCE40P07S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P07S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 6.2A мощность (Pd)  2.5W канал P сопротивление в открытом состоянии 25mΩ@10V,5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P07S
  • PDF NCE40P07S.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 5758596061626364...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd