О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE4060K

NCE4060K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4060K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 60A мощность (Pd)  65W канал N сопротивление в открытом состоянии 13mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4060K
  • PDF NCE4060K.pdf
Консультация
NCEP40T11G

NCEP40T11G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T11G
  • КорпусDFN-8(5.7x5.1)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 110A мощность (Pd)  75W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.8mΩ@10V,55A корпус DFN-8(5.7x5.1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T11G
  • PDF NCEP40T11G.pdf
Консультация
NCE6003Y

NCE6003Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6003Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 105mΩ@10V,3A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6003Y
  • PDF NCE6003Y.pdf
Консультация
NCE0106R

NCE0106R-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0106R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 6A мощность (Pd)  3W канал N сопротивление в открытом состоянии 140mΩ@10V,5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0106R
  • PDF NCE0106R.pdf
Консультация
NCE30P20Q

NCE30P20Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P20Q
  • КорпусPDFN3333-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 20A мощность (Pd)  35W канал P сопротивление в открытом состоянии 11.5mΩ@10V,15A корпус PDFN3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P20Q
  • PDF NCE30P20Q.pdf
Консультация
NCE0103Y

NCE0103Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0103Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,3A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0103Y
  • PDF NCE0103Y.pdf
Консультация
NCE60P10K

NCE60P10K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P10K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 10A мощность (Pd)  45W канал P сопротивление в открытом состоянии 106mΩ@10V,10A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P10K
  • PDF NCE60P10K.pdf
Консультация
NCE6050A

NCE6050A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6050A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.9V@250uA ток 50A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 14mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6050A
  • PDF NCE6050A.pdf
Консультация
NCE7560K

NCE7560K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE7560K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 75V пороговое напряжение 4V@250uA ток 60A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,30A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE7560K
  • PDF NCE7560K.pdf
Консультация
NCE3050K

NCE3050K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3050K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 50A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 11mΩ@10V,25A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3050K
  • PDF NCE3050K.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 5657585960616263...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd