О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE6005AR

NCE6005AR-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6005AR
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 5A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 35mΩ@4.5V,5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6005AR
  • PDF NCE6005AR.pdf
Консультация
NCE01P30K

NCE01P30K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P30K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 30A мощность (Pd)  120W канал P сопротивление в открытом состоянии 58mΩ@10V,15A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P30K
  • PDF NCE01P30K.pdf
Консультация
NCE60P25K

NCE60P25K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P25K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 25A мощность (Pd)  90W канал P сопротивление в открытом состоянии 45mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P25K
  • PDF NCE60P25K.pdf
Консультация
NCE2309

NCE2309-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2309
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2V@250uA ток 1.6A мощность (Pd)  1.5W канал P сопротивление в открытом состоянии 140mΩ@10V,1.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2309
  • PDF NCE2309.pdf
Консультация
NCE40P70K

NCE40P70K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P70K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 70A мощность (Pd)  130W канал P сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P70K
  • PDF NCE40P70K.pdf
Консультация
NCE01P13K

NCE01P13K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P13K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 13A мощность (Pd)  40W канал P сопротивление в открытом состоянии 200mΩ@10V,16A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P13K
  • PDF NCE01P13K.pdf
Консультация
NCE0102

NCE0102-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0102
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 2A мощность (Pd)  1.25W канал N сопротивление в открытом состоянии 240mΩ@10V,1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0102
  • PDF NCE0102.pdf
Консультация
NCE40P40K

NCE40P40K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P40K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 3V@250uA ток 40A мощность (Pd)  80W канал P сопротивление в открытом состоянии 14mΩ@10V,12A корпус  TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P40K
  • PDF NCE40P40K.pdf
Консультация
NCE3080K

NCE3080K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3080K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 80A мощность (Pd)  83W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,30A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3080K
  • PDF NCE3080K.pdf
Консультация
NCE3401

NCE3401-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3401
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd)  1.2W канал P сопротивление в открытом состоянии 55mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3401
  • PDF NCE3401.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 5455565758596061...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd