О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > 华润华晶
华润华晶

华润华晶

Категория：
аудиоусилитель мощностиMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)BJTIGBT-транзистор /модульоптопара -фототранзистор выход
Мультивыбор
Корпус：
DIP-18DIP-4DIP-M-4FSIP-14FZIP-25FZIP15FZIP5HDIP-12HZIP15SMD-4PTO-126TO-220-15TO-220-5TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-247-3TO-251(IPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-262-3TO-3PNTO-92-3
Ещё ⤵Мультивыбор
CS25N06B4

CS25N06B4-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS25N06B4
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 3V@250uA ток 25A мощность (Pd)  50W канал Nсопротивление в открытом состоянии 36mΩ@10V,18A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS25N06B4
  • PDF CS25N06B4.pdf
Консультация
CS10N65FA9R

CS10N65FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS10N65FA9R
  • КорпусTO-220F
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 10A мощность (Pd)  40W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1Ω@10V,5A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS10N65FA9R
  • PDF CS10N65FA9R.pdf
Консультация
CS4N65A4R

CS4N65A4R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS4N65A4R
  • КорпусTO-252-2
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение - ток 4A мощность (Pd)  75W канал Nсопротивление в открытом состоянии - корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N65A4R
  • PDF CS4N65A4R.pdf
Консультация
CS1N60A4H

CS1N60A4H-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS1N60A4H
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 800mA мощность (Pd)  25W канал Nсопротивление в открытом состоянии 15Ω@10V,400mA корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS1N60A4H
  • PDF CS1N60A4H.pdf
Консультация
CS12N65FA9H

CS12N65FA9H-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS12N65FA9H
  • КорпусTO-220F
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 12A мощность (Pd)  55W канал Nсопротивление в открытом состоянии 700mΩ@10V,6A корпус  TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS12N65FA9H
  • PDF CS12N65FA9H.pdf
Консультация
CS10N70FA9R

CS10N70FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS10N70FA9R
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 10A мощность (Pd)  40W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.05Ω@10V,5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS10N70FA9R
  • PDF CS10N70FA9R.pdf
Консультация
CS4N65A3HD

CS4N65A3HD-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS4N65A3HD
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  75W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.5Ω@10V,2A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N65A3HD
  • PDF CS4N65A3HD.pdf
Консультация
CS4N60A3R

CS4N60A3R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS4N60A3R
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  75W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.5Ω@10V,2A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N60A3R
  • PDF CS4N60A3R.pdf
Консультация
CS2N60A4H

CS2N60A4H-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS2N60A4H
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 2A мощность (Pd)  35W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4Ω@10V,1A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS2N60A4H
  • PDF CS2N60A4H.pdf
Консультация
CS5N65FA9R

CS5N65FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS5N65FA9R
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 5A мощность (Pd)  30W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.8Ω@10V,2A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS5N65FA9R
  • PDF CS5N65FA9R.pdf
Консультация
CS8N60FA9H

CS8N60FA9H-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS8N60FA9H
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  45W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.2Ω@10V,4A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS8N60FA9H
  • PDF CS8N60FA9H.pdf
Консультация
CS630A4H

CS630A4H-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS630A4H
  • КорпусTO-252-2
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение 4V@250uA ток 9A мощность (Pd)  83W канал Nсопротивление в открытом состоянии 280mΩ@10V,5.4A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS630A4H
  • PDF CS630A4H.pdf
Консультация
CS7N65A3R

CS7N65A3R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS7N65A3R
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 7A мощность (Pd)  100W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.4Ω@10V,3.5A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS7N65A3R
  • PDF CS7N65A3R.pdf
Консультация
CS7N65A4R

CS7N65A4R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS7N65A4R
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 7A мощность (Pd)  100W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.4Ω@10V,3.5A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS7N65A4R
  • PDF CS7N65A4R.pdf
Консультация
CS100N03B4

CS100N03B4-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS100N03B4
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 100A мощность (Pd)  100W канал Nсопротивление в открытом состоянии 5.3mΩ@10V,50A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS100N03B4
  • PDF CS100N03B4.pdf
Консультация
CS7N65FA9R

CS7N65FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS7N65FA9R
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение "4V@250uA " ток 7A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.4Ω@10V,3.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS7N65FA9R
  • PDF CS7N65FA9R.pdf
Консультация
CS10N50FA9R

CS10N50FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS10N50FA9R
  • КорпусTO-220F
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение - ток 10A мощность (Pd)  40W канал Nсопротивление в открытом состоянии - корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS10N50FA9R
  • PDF CS10N50FA9R.pdf
Консультация
CS10N80FA9D

CS10N80FA9D-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS10N80FA9D
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение 4V@250uA ток 10A мощность (Pd)  60W канал Nсопротивление в открытом состоянии 900mΩ@10V,5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS10N80FA9D
  • PDF CS10N80FA9D.pdf
Консультация
CS4N80FA9HD

CS4N80FA9HD-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS4N80FA9HD
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  35W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.2Ω@10V,2A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N80FA9HD
  • PDF
Консультация
CS5N20A4

CS5N20A4-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS5N20A4
  • КорпусTO-252-2
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4.8A мощность (Pd)  40W канал Nсопротивление в открытом состоянии 650mΩ@10V,2.9A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS5N20A4
  • PDF CS5N20A4.pdf
Консультация
Всего записей: 62«Предыдущая1234Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd