О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
CS4N80FA9HD

CS4N80FA9HD-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS4N80FA9HD
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниедопустимое напряжение 800V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2Ω@10V,2A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N80FA9HD
  • PDF CS4N80FA9HD.pdf
Консультация
CS5N20A4

CS5N20A4-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS5N20A4
  • КорпусTO-252-2
  • Производитель华润华晶
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4.8A мощность (Pd)  40W канал N сопротивление в открытом состоянии 650mΩ@10V,2.9A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS5N20A4
  • PDF CS5N20A4.pdf
Консультация
CS12N65FA9R

CS12N65FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS12N65FA9R
  • КорпусTO-220F
  • Производитель华润华晶
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 12A мощность (Pd)  42W канал N сопротивление в открытом состоянии 800mΩ@10V,6A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS12N65FA9R
  • PDF CS12N65FA9R.pdf
Консультация
CS4N60A4R

CS4N60A4R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS4N60A4R
  • КорпусTO-252-2
  • Производитель华润华晶
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  75W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.5Ω@10V,2A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N60A4R
  • PDF CS4N60A4R.pdf
Консультация
CS13N50FA9R

CS13N50FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS13N50FA9R
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниедопустимое напряжение 500V пороговое напряжение 4V@250uA ток 13A мощность (Pd)  42W канал N сопротивление в открытом состоянии 500mΩ@10V,6.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS13N50FA9R
  • PDF CS13N50FA9R.pdf
Консультация
CS2N60A3H

CS2N60A3H-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS2N60A3H
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 2A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.5Ω@10V,1A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS2N60A3H
  • PDF CS2N60A3H.pdf
Консультация
CS16N65FA9H

CS16N65FA9H-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS16N65FA9H
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 16A мощность (Pd)  70W канал N сопротивление в открытом состоянии 550mΩ@10V,8A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS16N65FA9H
  • PDF CS16N65FA9H.pdf
Консультация
CS10N60FA9R

CS10N60FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS10N60FA9R
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 10A мощность (Pd)  40W канал N сопротивление в открытом состоянии 900mΩ@10V,5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS10N60FA9R
  • PDF CS10N60FA9R.pdf
Консультация
CS25N06C4

CS25N06C4-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS25N06C4
  • КорпусTO-252-2
  • Производитель华润华晶
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2V@250uA ток 25A мощность (Pd)  36.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 29mΩ@10V,19A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS25N06C4
  • PDF CS25N06C4.pdf
Консультация
LX2302S

LX2302S-CHIPLINK

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельLX2302S
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительCHIPLINK
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение - ток 2.3A мощность (Pd)  0.7W канал N сопротивление в открытом состоянии <60mΩ@VDS=4.5 <90mΩ@VDS=2.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CHIPLINK артикул LX2302S
  • PDF LX2302S.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 5253545556575859...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd