О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
ZXMP10A18KTC

ZXMP10A18KTC-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP10A18KTC
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 2.17W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.8A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A18KTC 系列 ZXMP10A18KTC
  • PDF ZXMP10A18KTC.pdf
Консультация
DMN3051L-7

DMN3051L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3051L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 38mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3051L-7 系列 DMN3051L
  • PDF DMN3051L-7.pdf
Консультация
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3009LFVW-7
  • КорпусPDFN-8(3.1x3.1)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 60A мощность (Pd) 1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,30A корпус PDFN-8(3.1x3.1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3009LFVW-7 系列 DMN3009LFVW
  • PDF DMN3009LFVW-7.pdf
Консультация
ZXMS6004FFQTA

ZXMS6004FFQTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMS6004FFQTA
  • КорпусSOT-23F
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60 V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 1.3 A мощность (Pd) 1.5 W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 500 mOhms корпус SOT-23F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMS6004FFQTA 系列 ZXMS6004FFQTA
  • PDF ZXMS6004FFQTA.pdf
Консультация
DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP1045UQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 800mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 31mΩ@4A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1045UQ-7 系列 DMP1045UQ
  • PDF DMP1045UQ-7.pdf
Консультация
DMC1030UFDB-7

DMC1030UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC1030UFDB-7
  • КорпусU-DFN2020-6D
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.1A；3.9A мощность (Pd) 1.36W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 17mΩ@4.5V,4.6A；37mΩ@4.5V,3.6A корпус U-DFN2020-6D MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC1030UFDB-7 系列 DMC1030UFDB
  • PDF DMC1030UFDB-7.pdf
Консультация
DMC3400SDW-7

DMC3400SDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3400SDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.6V@250uA ток 650mA；450mA мощность (Pd) 310mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@590mA,10V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3400SDW-7 系列 DMC3400SDW
  • PDF DMC3400SDW-7.pdf
Консультация
DMC2700UDM-7

DMC2700UDM-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2700UDM-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.34A；1.14A мощность (Pd) 1.12W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@600mA,4.5V корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2700UDM-7 系列 DMC2700UDM
  • PDF DMC2700UDM-7.pdf
Консультация
DMP6110SFDF-7

DMP6110SFDF-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6110SFDF-7
  • КорпусDFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.97W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@4.5A,10V корпус DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6110SFDF-7 系列 DMP6110SFDF
  • PDF DMP6110SFDF-7.pdf
Консультация
ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61P02FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 900mA мощность (Pd) 625mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 600mΩ@4.5V,610mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61P02FTA 系列 ZXM61P02FTA
  • PDF ZXM61P02FTA.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 3334353637383940...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd