О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP3098LSD-13

DMP3098LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3098LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 4.4A мощность (Pd) 1.8W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@5A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098LSD-13 系列 DMP3098LSD
  • PDF DMP3098LSD-13.pdf
Консультация
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3016LFDE-7
  • КорпусUDFN2020-6-EP
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 10A мощность (Pd) 730mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@10V,11A корпус UDFN2020-6-EP MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3016LFDE-7 系列 DMN3016LFDE
  • PDF DMN3016LFDE-7.pdf
Консультация
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3135LVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA ток 3.5A мощность (Pd) 840mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@10V,3.1A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3135LVT-7 系列 DMN3135LVT
  • PDF DMN3135LVT-7.pdf
Консультация
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH6010LPDQ-13
  • КорпусTDFN-8-Power
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 13.1A；47.6A мощность (Pd) 2.8W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@20A,10V корпус TDFN-8-Power MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6010LPDQ-13 系列 DMTH6010LPDQ
  • PDF DMTH6010LPDQ-13.pdf
Консультация
DMN2310U-7

DMN2310U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2310U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 480mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 175mΩ@300mA,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2310U-7 系列 DMN2310U
  • PDF DMN2310U-7.pdf
Консультация
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3020UFDF-7
  • КорпусDFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 15A мощность (Pd) 2.03W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 19mΩ@4.5A,4.5V корпус DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3020UFDF-7 系列 DMN3020UFDF
  • PDF DMN3020UFDF-7.pdf
Консультация
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3018SSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 7.3A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 21mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3018SSS-13 系列 DMN3018SSS
  • PDF DMN3018SSS-13.pdf
Консультация
ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP3A13FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.4A мощность (Pd) 625mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 210mΩ@10V,1.4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP3A13FTA 系列 ZXMP3A13FTA
  • PDF ZXMP3A13FTA.pdf
Консультация
BSS84Q-7-F

BSS84Q-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84Q-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 300mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@10V,12.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84Q-7-F 系列 BSS84Q
  • PDF BSS84Q-7-F.pdf
Консультация
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG7430LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 10.5A мощность (Pd) 900mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,20A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG7430LFG-7 系列 DMG7430LFG
  • PDF DMG7430LFG-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 3233343536373839...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd