О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMHC4035LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.5A；3.7A мощность (Pd) 1.5W канал 2个N和2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@3.9A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHC4035LSD-13 系列 DMHC4035LSD
  • PDF DMHC4035LSD-13.pdf
Консультация
DMP4013LFGQ-7

DMP4013LFGQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4013LFGQ-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10.3A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4013LFGQ-7 系列 DMP4013LFGQ
  • PDF DMP4013LFGQ-7.pdf
Консультация
DMN601TK-7

DMN601TK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN601TK-7
  • КорпусSOT-523-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 300mA мощность (Pd) 150mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN601TK-7 系列 DMN601TK
  • PDF DMN601TK-7.pdf
Консультация
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN2B01FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.1A мощность (Pd) 625mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN2B01FTA 系列 ZXMN2B01FTA
  • PDF ZXMN2B01FTA.pdf
Консультация
DMP2160U-7

DMP2160U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2160U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 3.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80mΩ@4.5V,1.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2160U-7 系列 DMP2160U DMP2160U-7
  • PDF DMP2160U-7.pdf
Консультация
DMP3010LK3-13

DMP3010LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3010LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 17A мощность (Pd) 1.7W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8mΩ@10V,10A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3010LK3-13 系列 DMP3010LK3
  • PDF DMP3010LK3-13.pdf
Консультация
DMN3150L-7

DMN3150L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3150L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 28V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 85mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3150L-7 系列 DMN3150L
  • PDF DMN3150L-7.pdf
Консультация
DMC2038LVT-7

DMC2038LVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2038LVT-7
  • КорпусTSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.7A；2.6A мощность (Pd) 800mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V корпус TSOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2038LVT-7 系列 DMC2038LVT
  • PDF DMC2038LVT-7.pdf
Консультация
DMP3085LSD-13

DMP3085LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3085LSD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3.9A мощность (Pd) 1.1W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,5.3A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3085LSD-13 系列 DMP3085LSD
  • PDF DMP3085LSD-13.pdf
Консультация
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3032LFDBQ-7
  • КорпусDFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 1W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@5.8A,10V корпус DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3032LFDBQ-7 系列 DMN3032LFDBQ
  • PDF DMN3032LFDBQ-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 3132333435363738...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd