О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
BS870-7-F

BS870-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS870-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS870-7-F 系列 BS870
  • PDF BS870-7-F.pdf
Консультация
DMC2053UVT-7

DMC2053UVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2053UVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.6A；3.2A мощность (Pd) 700mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@5A,4.5；74mΩ@3.5A,4.5V корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2053UVT-7 系列 DMC2053UVT
  • PDF DMC2053UVT-7.pdf
Консультация
DMP2088LCP3-7

DMP2088LCP3-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2088LCP3-7
  • КорпусX2-DSN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 2.9A мощность (Pd) 1.13W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@8V,500mA корпус X2-DSN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2088LCP3-7 系列 DMP2088LCP3
  • PDF DMP2088LCP3-7.pdf
Консультация
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG4466SSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 10A мощность (Pd) 1.42W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 23mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4466SSS-13 系列 DMG4466SSS
  • PDF DMG4466SSS-13.pdf
Консультация
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6008LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 13A；60A мощность (Pd) 2.2W；41W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,20A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6008LFG-7 系列 DMT6008LFG
  • PDF DMT6008LFG-7.pdf
Консультация
DMP2123L-7

DMP2123L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2123L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 3A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 72mΩ@4.5V,3.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2123L-7 系列 DMP2123L
  • PDF DMP2123L-7.pdf
Консультация
DMC21D1UDA-7B

DMC21D1UDA-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC21D1UDA-7B
  • КорпусDFN-6(0.6x0.8)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 328mA；455mA мощность (Pd) 300mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 990mΩ@100mA,4.5；1.9Ω@100mA,4.5V корпус DFN-6(0.6x0.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC21D1UDA-7B 系列 DMC21D1UDA
  • PDF DMC21D1UDA-7B.pdf
Консультация
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN65D8LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 180mA мощность (Pd) 300mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,115mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN65D8LDW-7 系列 DMN65D8LDW
  • PDF DMN65D8LDW-7.pdf
Консультация
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN4800LSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.6V@250uA ток 9A мощность (Pd) 1.46W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@10V,9A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN4800LSS-13 系列 DMN4800LSS
  • PDF DMN4800LSS-13.pdf
Консультация
DMP3007SCG-7

DMP3007SCG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3007SCG-7
  • КорпусV-DFN3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 50A мощность (Pd) 2.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.8mΩ@10V,11.5A корпус V-DFN3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3007SCG-7 系列 DMP3007SCG
  • PDF DMP3007SCG-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 2930313233343536...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd