О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP2035UVTQ-7

DMP2035UVTQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2035UVTQ-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 7.2A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2035UVTQ-7 系列 DMP2035UVTQ
  • PDF DMP2035UVTQ-7.pdf
Консультация
DMN6066SSS-13

DMN6066SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6066SSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3.7A мощность (Pd) 1.56W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 66mΩ@4.5A,10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6066SSS-13 系列 DMN6066SSS
  • PDF DMN6066SSS-13.pdf
Консультация
ZVN4106FTA

ZVN4106FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4106FTA
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 200mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω@10V,500mA корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4106FTA 系列 ZVN4106FTA
  • PDF ZVN4106FTA.pdf
Консультация
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN30H4D0LFDE-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.8V@250uA ток 550mA мощность (Pd) 630mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN30H4D0LFDE-7 系列 DMN30H4D0LFDE
  • PDF DMN30H4D0LFDE-7.pdf
Консультация
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH6004SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 100A мощность (Pd) 3.9W；180W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.8mΩ@10V,90A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6004SK3-13 系列 DMTH6004SK3
  • PDF DMTH6004SK3-13.pdf
Консультация
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 380mA мощность (Pd) 380mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@4.5V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0U-7 系列 DMN62D0U
  • PDF DMN62D0U-7.pdf
Консультация
DMP3037LSS-13

DMP3037LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3037LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3037LSS-13 系列 DMP3037LSS
  • PDF DMP3037LSS-13.pdf
Консультация
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN63D8LV-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 260mA мощность (Pd) 450mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,200mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8LV-7 系列 DMN63D8LV
  • PDF DMN63D8LV-7.pdf
Консультация
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN1260UFA-7B
  • КорпусDFN-3(0.6x0.8)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 360mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 366mΩ@200mA,4.5V корпус DFN-3(0.6x0.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1260UFA-7B 系列 DMN1260UFA
  • PDF DMN1260UFA-7B.pdf
Консультация
2N7002E-7-F

2N7002E-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002E-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,250mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002E-7-F 系列 2N7002E
  • PDF 2N7002E-7-F.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 3031323334353637...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd