О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0U-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 380mA мощность (Pd) 380mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0U-13 系列 DMN62D0U
  • PDF DMN62D0U-13.pdf
Консультация
DMP21D5UFB4-7B

DMP21D5UFB4-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP21D5UFB4-7B
  • КорпусDFN-3(0.6x1)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 460mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 970mΩ@5V,100mA корпус DFN-3(0.6x1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP21D5UFB4-7B 系列 DMP21D5UFB4
  • PDF DMP21D5UFB4-7B.pdf
Консультация
DMN3200U-7

DMN3200U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3200U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.2A мощность (Pd) 650mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,2.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3200U-7 系列 DMN3200U
  • PDF DMN3200U-7.pdf
Консультация
BSS138-13-F

BSS138-13-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138-13-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138-13-F 系列 BSS138
  • PDF BSS138-13-F.pdf
Консультация
ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4525E6TA
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 250V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@1mA ток 230mA мощность (Pd) 1.1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5Ω@10V,500mA корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4525E6TA 系列 ZVN4525E6TA
  • PDF ZVN4525E6TA.pdf
Консультация
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN60H080DS-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 80mA мощность (Pd) 1.1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100Ω@60mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN60H080DS-7 系列 DMN60H080DS
  • PDF DMN60H080DS-7.pdf
Консультация
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6016LFDF-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 8.9A мощность (Pd) 820mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@10V,10A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6016LFDF-7 系列 DMT6016LFDF
  • PDF DMT6016LFDF-7.pdf
Консультация
ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A17E6TA
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.3A мощность (Pd) 1.1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.3A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A17E6TA 系列 ZXMP6A17E6TA
  • PDF ZXMP6A17E6TA.pdf
Консультация
DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6185SEQ-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3A мощность (Pd) 2.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6185SEQ-13 系列 DMP6185SEQ
  • PDF DMP6185SEQ-13.pdf
Консультация
DMP3010LPSQ-13

DMP3010LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3010LPSQ-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 36A мощность (Pd) 2.18W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,10A корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3010LPSQ-13 系列 DMP3010LPSQ
  • PDF DMP3010LPSQ-13.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 2829303132333435...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd