О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP6350S-7

DMP6350S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6350S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 720mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@10V,900mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP6350S-7 系列 DMP6350S
  • PDF DMP6350S-7.pdf
Консультация
DMP4065S-7

DMP4065S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4065S-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 720mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,3.3A 封装 SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP4065S-7 系列 DMP4065S
  • PDF DMP4065S-7.pdf
Консультация
MMBF170-7-F

MMBF170-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMMBF170-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 300mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES MMBF170-7-F 系列 MMBF170
  • PDF MMBF170-7-F.pdf
Консультация
DMG2301L-7

DMG2301L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2301L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.5W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.5W 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG2301L-7 系列 DMG2301L
  • PDF DMG2301L-7.pdf
Консультация
BSS84-7-F

BSS84-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS84-7-F 系列 BSS84
  • PDF BSS84-7-F.pdf
Консультация
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN26D0UFB4-7
  • КорпусDFN-3(0.6x1)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 350mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA 封装  DFN-3(0.6x1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN26D0UFB4-7 系列 DMN26D0UFB4
  • PDF DMN26D0UFB4-7.pdf
Консультация
2N7002T-7-F

2N7002T-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002T-7-F
  • КорпусSOT-523
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 115mA 功率(Pd) 150mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装  SOT-523MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES 2N7002T-7-F 系列 2N7002T
  • PDF 2N7002T-7-F.pdf
Консультация
BSS138DW-7-F

BSS138DW-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138DW-7-F
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-363-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS138DW-7-F 系列 BSS138DW
  • PDF BSS138DW-7-F.pdf
Консультация
BSS127S-7

BSS127S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS127S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA 电流 50mA 功率(Pd) 610mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160Ω@10V,16mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS127S-7 系列 BSS127S
  • PDF BSS127S-7.pdf
Консультация
2N7002W-7-F

2N7002W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002W-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 115mA 功率(Pd) 200mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES 2N7002W-7-F 系列 2N7002W
  • PDF 2N7002W-7-F.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 1011121314151617...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd