О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN3404L-7

DMN3404L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3404L-7
  • Корпус
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 720mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN3404L-7 系列 DMN3404L
  • PDF DMN3404L-7.pdf
Консультация
DMP1045U-7

DMP1045U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP1045U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 800mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 31mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP1045U-7 系列 DMP1045U
  • PDF DMP1045U-7.pdf
Консультация
DMG2305UX-13

DMG2305UX-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2305UX-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG2305UX-13 系列 DMG2305UX
  • PDF DMG2305UX-13.pdf
Консультация
DMG2305UX-7

DMG2305UX-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2305UX-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG2305UX-7 系列 DMG2305UX
  • PDF DMG2305UX-7.pdf
Консультация
DMP3098L-7

DMP3098L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3098L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.08W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP3098L-7 系列 DMP3098L
  • PDF DMP3098L-7.pdf
Консультация
DMP4051LK3-13

DMP4051LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4051LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 7.2A 功率(Pd) 2.14W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 51mΩ@10V,12A 封装 TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP4051LK3-13 系列 DMP4051LK3
  • PDF DMP4051LK3-13.pdf
Консультация
2N7002KQ-7

2N7002KQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002KQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA 电流 380mA 功率(Pd) 370mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES 2N7002KQ-7 系列 2N7002KQ-7
  • PDF 2N7002KQ-7.pdf
Консультация
DMP6023LE-13

DMP6023LE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LE-13
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 7A；18.2A 功率(Pd) 2W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5A 封装 SOT-223-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP6023LE-13 系列 DMP6023LE
  • PDF DMP6023LE-13.pdf
Консультация
DMP3013SFV-7

DMP3013SFV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3013SFV-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 12A；35A 功率(Pd) 940mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 9.5mΩ@10V,11.5A 封装 PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP3013SFV-7 系列 DMP3013SFV
  • PDF DMP3013SFV-7.pdf
Консультация
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1012UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 1A 功率(Pd) 290mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@4.5V,600mA 封装 SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG1012UW-7 系列 DMG1012UW
  • PDF DMG1012UW-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 910111213141516...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd