О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STP80NF10

STP80NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80NF10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF10封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)182nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.5nF@25V工作温度-55…
  • PDF STP80NF10.pdf
Консультация
STD10P10F6

STD10P10F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10P10F6
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10P10F6封装TO-252-2FET 类型P 通道技术MOSFET漏源电压（Vdss）100 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Tc）驱动电压10V不同 Id、Vgs 时导通电阻180 毫欧 @ 5A，10V…
  • PDF STD10P10F6.pdf
Консультация
STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB120NF10T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB120NF10T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)312Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)233nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.2nF@25V工作温…
  • PDF STB120NF10T4.pdf
Консультация
STB10N95K5

STB10N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB10N95K5
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB10N95K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)130Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)800mΩ@4A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V工作温度-55℃…
  • PDF STB10N95K5.pdf
Консультация
STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB120NF10T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB120NF10T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)312Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)233nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.2nF@25V工作温…
  • PDF STB120NF10T4.pdf
Консультация
STB10N95K5

STB10N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB10N95K5
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB10N95K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)130Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)800mΩ@4A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V工作温度-55℃…
  • PDF STB10N95K5.pdf
Консультация
STW15N95K5

STW15N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW15N95K5
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW15N95K5封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)170Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)410mΩ@10V,6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V输入电容(Ciss@Vds)855pF@100V反向传输…
  • PDF STW15N95K5.pdf
Консультация
STF13N65M2

STF13N65M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF13N65M2
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STF13N65M2封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)430mΩ@5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)590pF@100V反向传输电…
  • PDF STF13N65M2.pdf
Консультация
STL3NM60N

STL3NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL3NM60N
  • КорпусPowerFLAT-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STL3NM60N封装 PowerFLAT-8(3.3x3.3)FET 类型N 通道技术MOSFET漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)650mA（Ta），2.2A（Tc）驱动电压10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（…
  • PDF STL3NM60N.pdf
Консультация
STP11N65M5

STP11N65M5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP11N65M5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11N65M5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)85Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)480mΩ@4.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)644pF@100V反向传输电…
  • PDF STP11N65M5.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 110111112113114115116117118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd