О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
STD36P4LLF6

STD36P4LLF6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD36P4LLF6
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD36P4LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)36A功率(Pd)60Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.85nF@2…
  • PDF STD36P4LLF6.pdf
STD3NM60N

STD3NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD3NM60N
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NM60N封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)3.3A功率(Pd)50Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.6Ω@10V,1.65Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)188pF@50Vёмкость обратной передачи …
  • PDF STD3NM60N.pdf
STD36P4LLF6

STD36P4LLF6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD36P4LLF6
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD36P4LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)36A功率(Pd)60Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.85nF@2…
  • PDF STD36P4LLF6.pdf
STP11NK40ZFP

STP11NK40ZFP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP11NK40ZFP
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11NK40ZFP封装 TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400Vпостоянный ток стока (Id)9A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)550mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STP11NK40ZFP.pdf
STP8NK100Z

STP8NK100Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP8NK100Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP8NK100Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kVпостоянный ток стока (Id)6.5A功率(Pd)160Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.85Ω@10V,3.15Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)102nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.18nF@25V工作…
  • PDF STP8NK100Z.pdf
STP24N60M2

STP24N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP24N60M2
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP24N60M2封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)18A功率(Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)190mΩ@10V,9Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.06nF@100V工作温度-…
  • PDF STP24N60M2.pdf
STD12NF06T4

STD12NF06T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD12NF06T4
  • КорпусTO-252-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD12NF06T4封装TO-252-3FET 类型N 通道技术MOSFET漏源电压(Vdss)60 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)驱动电压10V不同 Id、Vgs 时导通电阻100 毫欧 @ 6A,10V…
  • PDF STD12NF06T4.pdf
STL11N3LLH6

STL11N3LLH6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL11N3LLH6
  • КорпусVDFN-8-Power
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STL11N3LLH6封装VDFN-8-Power类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)11A功率(Pd)2W;50Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)7.5mΩ@5.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.69nF@2…
  • PDF STL11N3LLH6.pdf
STD6NF10T4

STD6NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD6NF10T4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD6NF10T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)6A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度-65℃~+…
  • PDF STD6NF10T4.pdf
STD5NK50ZT4

STD5NK50ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD5NK50ZT4
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5NK50ZT4封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500Vпостоянный ток стока (Id)4.4A功率(Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.5Ω@10V,2.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)28nC@10V输入电容(Ciss@Vds)535pF@25V…
  • PDF STD5NK50ZT4.pdf
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd