Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD36P4LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)36A功率(Pd)60Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.85nF@2…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NM60N封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)3.3A功率(Pd)50Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.6Ω@10V,1.65Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)188pF@50Vёмкость обратной передачи …
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD36P4LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)36A功率(Pd)60Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.85nF@2…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11NK40ZFP封装 TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400Vпостоянный ток стока (Id)9A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)550mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP8NK100Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kVпостоянный ток стока (Id)6.5A功率(Pd)160Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.85Ω@10V,3.15Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)102nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.18nF@25V工作…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP24N60M2封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)18A功率(Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)190mΩ@10V,9Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.06nF@100V工作温度-…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STL11N3LLH6封装VDFN-8-Power类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)11A功率(Pd)2W;50Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)7.5mΩ@5.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.69nF@2…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD6NF10T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)6A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度-65℃~+…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5NK50ZT4封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500Vпостоянный ток стока (Id)4.4A功率(Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.5Ω@10V,2.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)28nC@10V输入电容(Ciss@Vds)535pF@25V…