О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STW4N150

STW4N150-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW4N150
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW4N150корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.5kVпостоянный ток стока (Id)4Aмощность (Pd)160Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)7Ω@10V,2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)50nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25V
  • PDF STW4N150.pdf
Консультация
STP62NS04Z

STP62NS04Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP62NS04Z
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP62NS04Zкорпус TO-220-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)33Vпостоянный ток стока (Id)62Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@30A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)47nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.33nF@25Vрабочая температура -…
  • PDF STP62NS04Z.pdf
Консультация
STL8N10LF3

STL8N10LF3-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL8N10LF3
  • КорпусPowerFLAT-8(5x6)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL8N10LF3корпус PowerFLAT-8(5x6)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)4.3W；70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)35mΩ@4A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)20.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)970p…
  • PDF STL8N10LF3.pdf
Консультация
STP3NK60ZFP

STP3NK60ZFP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP3NK60ZFP
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP3NK60ZFPкорпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)2.4Aмощность (Pd)20Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.2Ω@10V,1.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3.75V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)11.8nC@0~10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)311pF@25V…
  • PDF STP3NK60ZFP.pdf
Консультация
STP6NK60Z

STP6NK60Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP6NK60Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP6NK60Zкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)6Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.2Ω@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)46nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)905pF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STP6NK60Z.pdf
Консультация
STP40NF10

STP40NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP40NF10
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP40NF10корпус TO-220AB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)50Aмощность (Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)25mΩ@10V,25Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)62nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.18nF@25Vобратная передача …
  • PDF STP40NF10.pdf
Консультация
STL135N8F7AG

STL135N8F7AG-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL135N8F7AG
  • КорпусVDFN-8-Power
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL135N8F7AGкорпус VDFN-8-Powerтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)80Vпостоянный ток стока (Id)130Aмощность (Pd)135W；4.8Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.6mΩ@13A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)103nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)6.…
  • PDF STL135N8F7AG.pdf
Консультация
STU7N105K5

STU7N105K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTU7N105K5
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STU7N105K5корпус TO-251(IPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.05kVпостоянный ток стока (Id)4Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@2A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)380pF@100V反向传…
  • PDF STU7N105K5.pdf
Консультация
STP16NF06

STP16NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP16NF06
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP16NF06корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)16Aмощность (Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)100mΩ@10V,8Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)315pF@25Vрабочая температура -55℃~…
  • PDF STP16NF06.pdf
Консультация
STD13N60DM2

STD13N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD13N60DM2
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD13N60DM2корпус TO-252-2FET тип N 通道технология MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）600 V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)11A（Tc）驱动напряжение 10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 365 мОм @ 5.5A，…
  • PDF STD13N60DM2.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 113114115116117118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd