О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
STP80N240K6

STP80N240K6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80N240K6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP80N240K6корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)16Aмощность (Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)220mΩ@7A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)25.9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.35nF@100Vрабочий 温…
  • PDF STP80N240K6.pdf
STD3NK100Z

STD3NK100Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD3NK100Z
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD3NK100Zкорпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1kVпостоянный ток стока (Id)2.5Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6Ω@10V,1.25Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)18nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)601pF@25Vрабочий …
  • PDF STD3NK100Z.pdf
STP14NM50N

STP14NM50N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP14NM50N
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP14NM50Nкорпус TO-220AB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)500Vпостоянный ток стока (Id)12Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)320mΩ@10V,6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)27nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)816pF@50Vрабочая температура …
  • PDF STP14NM50N.pdf
STP3NK80Z

STP3NK80Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP3NK80Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP3NK80Zкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)2.5Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.5Ω@1.25A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)19nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)485pF@25Vобратная передача 电…
  • PDF STP3NK80Z.pdf
STP20NK50Z

STP20NK50Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20NK50Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP20NK50Zкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)500Vпостоянный ток стока (Id)17Aмощность (Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STP20NK50Z.pdf
STP55NF06L

STP55NF06L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP55NF06L
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP55NF06Lкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)55Aмощность (Pd)95Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1.7V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)37nC@4.5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.7nF@25Vрабочая температура …
  • PDF STP55NF06L.pdf
STP20N90K5

STP20N90K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20N90K5
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP20N90K5корпус TO-220-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)40nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@100Vрабочая температура …
  • PDF STP20N90K5.pdf
STP15N80K5

STP15N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP15N80K5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP15N80K5корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)14Aмощность (Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)375mΩ@7A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)32nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.1nF@100Vобратная передача 电…
  • PDF STP15N80K5.pdf
STP80NF06

STP80NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80NF06
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP80NF06корпус TO-220AB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)150nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.85nF@25V
  • PDF STP80NF06.pdf
STB13N60M2

STB13N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB13N60M2
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB13N60M2корпус TO-263-2тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)650Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)580pF@100Vрабочий 温…
  • PDF STB13N60M2.pdf
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd