Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11NK40ZFP封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)550mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD6NF10T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度-65℃~+…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW12NK90Z封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)230Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)880mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)152nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.5nF@25V工作…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW20N95K5封装TO-247类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)17.5A功率(Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)330mΩ@9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@100V反向传输…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP150N10F7封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)117nC@10V输入电容(Ciss@Vds)8.115nF@50V工作…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STFW3N170封装TO-3PF-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.7kV连续漏极电流(Id)2.6A功率(Pd)63Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)13Ω@10V,1.3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)44nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100V工作温度…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STF10N95K5封装TO-220FP-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)800mΩ@4A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V反向传输…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STE145N65M5封装ISOTOP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)143A功率(Pd)679Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@69A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)414nC@10V输入电容(Ciss@Vds)18.5nF@100V
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP7NK80ZFP封装TO-220FPAB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)5.2A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.8Ω@10V,2.6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)56nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.138nF@25…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20NM60FP封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@25V反向传输…