О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
STP15N80K5

STP15N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP15N80K5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP15N80K5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)14A功率(Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)375mΩ@7A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100V反向传输电…
  • PDF STP15N80K5.pdf
STP60NF06

STP60NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP60NF06
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP60NF06封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)60A功率(Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)16mΩ@10V,30Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)73nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.66nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP60NF06.pdf
STD5N95K3

STD5N95K3-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD5N95K3
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5N95K3封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)4A功率(Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.5Ω@2A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)460pF@25V工作温度-55℃~+15…
  • PDF STD5N95K3.pdf
STB15N80K5

STB15N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB15N80K5
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB15N80K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)14A功率(Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)300mΩ@10V,7Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100vёмкость обратной передачи …
  • PDF STB15N80K5.pdf
STD120N4F6

STD120N4F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD120N4F6
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD120N4F6封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)80A功率(Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4mΩ@40A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)65nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.85nF@25V工作温度-55℃~…
  • PDF STD120N4F6.pdf
STN4NF06L

STN4NF06L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN4NF06L
  • КорпусTO-261-4
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STN4NF06L封装TO-261-4类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)4A功率(Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)100mΩ@1.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.8V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@5V输入电容(Ciss@Vds)340pF@25V工作温度-5…
  • PDF STN4NF06L.pdf
STP16NF06L

STP16NF06L-TI

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP16NF06L
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP16NF06L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)16A功率(Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)90mΩ@10V,8Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@5V输入电容(Ciss@Vds)345pF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP16NF06L.pdf
STP150N10F7

STP150N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP150N10F7
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP150N10F7封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)110A功率(Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)117nC@10V输入电容(Ciss@Vds)8.115nF@50V工作…
  • PDF STP150N10F7.pdf
STP40NF10

STP40NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP40NF10
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP40NF10封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)50A功率(Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)25mΩ@10V,25Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)62nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.18nF@25V反向传输…
  • PDF STP40NF10.pdf
STW11NM80

STW11NM80-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW11NM80
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW11NM80封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)11A功率(Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)350mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)43.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.63nF@25V反向传…
  • PDF STW11NM80.pdf
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd