О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STP100N10F7

STP100N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP100N10F7
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP100N10F7封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@40A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)61nC@10V输入电容(Ciss@Vds)4.369nF@50V工作温…
  • PDF STP100N10F7.pdf
Консультация
STF22NM60N

STF22NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF22NM60N
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STF22NM60N封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)220mΩ@10V,8Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uA
  • PDF STF22NM60N.pdf
Консультация
STD25NF20

STD25NF20-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD25NF20
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD25NF20封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)125mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)39nC@10V输入电容(Ciss@Vds)940pF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STD25NF20.pdf
Консультация
STL40DN3LLH5

STL40DN3LLH5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL40DN3LLH5
  • КорпусPowerFLAT-5x6-8
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STL40DN3LLH5封装PowerFLAT-5x6-8配置2 N-通道FET 功能-漏源电压（Vdss）30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A不同 Id、Vgs 时导通电阻18 毫欧 @ 5.5A，10V不同 Id 时 Vgs(th)1.5V @ 250µA不同 Vg…
  • PDF STL40DN3LLH5.pdf
Консультация
STD3NK60ZT4

STD3NK60ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD3NK60ZT4
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NK60ZT4封装TO-252-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2.4A功率(Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.6Ω@10V,1.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA
  • PDF STD3NK60ZT4.pdf
Консультация
STD10P10F6

STD10P10F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10P10F6
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10P10F6封装TO-252-2FET 类型P 通道技术MOSFET漏源电压（Vdss）100 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Tc）驱动电压10V不同 Id、Vgs 时导通电阻180 毫欧 @ 5A，10V…
  • PDF STD10P10F6.pdf
Консультация
STD4N80K5

STD4N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD4N80K5
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD4N80K5封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)3A功率(Pd)60Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2.5Ω@10V,1.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)10.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)175pF@100V工作温度-5…
  • PDF STD4N80K5.pdf
Консультация
STW48N60DM2

STW48N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW48N60DM2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW48N60DM2封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)40A功率(Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)79mΩ@10V,20Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)70nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.25nF@100V工作温…
  • PDF STW48N60DM2.pdf
Консультация
STS5NF60L

STS5NF60L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTS5NF60L
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STS5NF60L封装SO-8类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)5A功率(Pd)2.5Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)55mΩ@10V,2.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@5V输入电容(Ciss@Vds)1.25nF@25V
  • PDF STS5NF60L.pdf
Консультация
STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB120NF10T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB120NF10T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)312Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)233nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.2nF@25V工作温…
  • PDF STB120NF10T4.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 107108109110111112113114...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd