О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
ZVN3306FTA

ZVN3306FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN3306FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@1mA ток 150mA мощность (Pd) 330mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN3306FTA 系列 ZVN3306FTA
  • PDF ZVN3306FTA.pdf
Консультация
DMPH6050SK3-13

DMPH6050SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6050SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.2A；23.6A мощность (Pd) 1.9W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,7A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6050SK3-13 系列 DMPH6050SK3
  • PDF DMPH6050SK3-13.pdf
Консультация
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0U-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 380mA мощность (Pd) 380mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0U-13 系列 DMN62D0U
  • PDF DMN62D0U-13.pdf
Консультация
DMP21D5UFB4-7B

DMP21D5UFB4-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP21D5UFB4-7B
  • КорпусDFN-3(0.6x1)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 460mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 970mΩ@5V,100mA корпус DFN-3(0.6x1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP21D5UFB4-7B 系列 DMP21D5UFB4
  • PDF DMP21D5UFB4-7B.pdf
Консультация
DMN3200U-7

DMN3200U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3200U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.2A мощность (Pd) 650mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,2.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3200U-7 系列 DMN3200U
  • PDF DMN3200U-7.pdf
Консультация
BSS138-13-F

BSS138-13-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138-13-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138-13-F 系列 BSS138
  • PDF BSS138-13-F.pdf
Консультация
ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4525E6TA
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 250V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@1mA ток 230mA мощность (Pd) 1.1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5Ω@10V,500mA корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4525E6TA 系列 ZVN4525E6TA
  • PDF ZVN4525E6TA.pdf
Консультация
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN60H080DS-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 80mA мощность (Pd) 1.1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100Ω@60mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN60H080DS-7 系列 DMN60H080DS
  • PDF DMN60H080DS-7.pdf
Консультация
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6016LFDF-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 8.9A мощность (Pd) 820mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@10V,10A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6016LFDF-7 系列 DMT6016LFDF
  • PDF DMT6016LFDF-7.pdf
Консультация
ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A17E6TA
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.3A мощность (Pd) 1.1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.3A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A17E6TA 系列 ZXMP6A17E6TA
  • PDF ZXMP6A17E6TA.pdf
Консультация
DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6185SEQ-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3A мощность (Pd) 2.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6185SEQ-13 系列 DMP6185SEQ
  • PDF DMP6185SEQ-13.pdf
Консультация
DMP3010LPSQ-13

DMP3010LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3010LPSQ-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 36A мощность (Pd) 2.18W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,10A корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3010LPSQ-13 系列 DMP3010LPSQ
  • PDF DMP3010LPSQ-13.pdf
Консультация
BS870-7-F

BS870-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS870-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS870-7-F 系列 BS870
  • PDF BS870-7-F.pdf
Консультация
DMC2053UVT-7

DMC2053UVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2053UVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.6A；3.2A мощность (Pd) 700mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@5A,4.5；74mΩ@3.5A,4.5V корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2053UVT-7 系列 DMC2053UVT
  • PDF DMC2053UVT-7.pdf
Консультация
DMP2088LCP3-7

DMP2088LCP3-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2088LCP3-7
  • КорпусX2-DSN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 2.9A мощность (Pd) 1.13W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@8V,500mA корпус X2-DSN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2088LCP3-7 系列 DMP2088LCP3
  • PDF DMP2088LCP3-7.pdf
Консультация
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG4466SSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 10A мощность (Pd) 1.42W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 23mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4466SSS-13 系列 DMG4466SSS
  • PDF DMG4466SSS-13.pdf
Консультация
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6008LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 13A；60A мощность (Pd) 2.2W；41W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,20A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6008LFG-7 系列 DMT6008LFG
  • PDF DMT6008LFG-7.pdf
Консультация
DMP2123L-7

DMP2123L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2123L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 3A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 72mΩ@4.5V,3.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2123L-7 系列 DMP2123L
  • PDF DMP2123L-7.pdf
Консультация
DMC21D1UDA-7B

DMC21D1UDA-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC21D1UDA-7B
  • КорпусDFN-6(0.6x0.8)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 328mA；455mA мощность (Pd) 300mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 990mΩ@100mA,4.5；1.9Ω@100mA,4.5V корпус DFN-6(0.6x0.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC21D1UDA-7B 系列 DMC21D1UDA
  • PDF DMC21D1UDA-7B.pdf
Консультация
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN65D8LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 180mA мощность (Pd) 300mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,115mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN65D8LDW-7 系列 DMN65D8LDW
  • PDF DMN65D8LDW-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 7891011121314...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd