О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN4800LSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.6V@250uA ток 9A мощность (Pd) 1.46W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@10V,9A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN4800LSS-13 系列 DMN4800LSS
  • PDF DMN4800LSS-13.pdf
Консультация
DMP3007SCG-7

DMP3007SCG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3007SCG-7
  • КорпусV-DFN3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 50A мощность (Pd) 2.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.8mΩ@10V,11.5A корпус V-DFN3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3007SCG-7 系列 DMP3007SCG
  • PDF DMP3007SCG-7.pdf
Консультация
DMP2035UVTQ-7

DMP2035UVTQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2035UVTQ-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 7.2A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2035UVTQ-7 系列 DMP2035UVTQ
  • PDF DMP2035UVTQ-7.pdf
Консультация
DMN6066SSS-13

DMN6066SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6066SSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3.7A мощность (Pd) 1.56W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 66mΩ@4.5A,10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6066SSS-13 系列 DMN6066SSS
  • PDF DMN6066SSS-13.pdf
Консультация
ZVN4106FTA

ZVN4106FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4106FTA
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 200mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω@10V,500mA корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4106FTA 系列 ZVN4106FTA
  • PDF ZVN4106FTA.pdf
Консультация
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN30H4D0LFDE-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.8V@250uA ток 550mA мощность (Pd) 630mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN30H4D0LFDE-7 系列 DMN30H4D0LFDE
  • PDF DMN30H4D0LFDE-7.pdf
Консультация
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH6004SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 100A мощность (Pd) 3.9W；180W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.8mΩ@10V,90A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6004SK3-13 系列 DMTH6004SK3
  • PDF DMTH6004SK3-13.pdf
Консультация
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 380mA мощность (Pd) 380mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@4.5V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0U-7 系列 DMN62D0U
  • PDF DMN62D0U-7.pdf
Консультация
DMP3037LSS-13

DMP3037LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3037LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3037LSS-13 系列 DMP3037LSS
  • PDF DMP3037LSS-13.pdf
Консультация
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN63D8LV-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 260mA мощность (Pd) 450mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,200mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8LV-7 系列 DMN63D8LV
  • PDF DMN63D8LV-7.pdf
Консультация
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN1260UFA-7B
  • КорпусDFN-3(0.6x0.8)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 360mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 366mΩ@200mA,4.5V корпус DFN-3(0.6x0.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1260UFA-7B 系列 DMN1260UFA
  • PDF DMN1260UFA-7B.pdf
Консультация
2N7002E-7-F

2N7002E-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002E-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,250mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002E-7-F 系列 2N7002E
  • PDF 2N7002E-7-F.pdf
Консультация
DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMHC4035LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.5A；3.7A мощность (Pd) 1.5W канал 2个N和2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@3.9A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHC4035LSD-13 系列 DMHC4035LSD
  • PDF DMHC4035LSD-13.pdf
Консультация
DMP4013LFGQ-7

DMP4013LFGQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4013LFGQ-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10.3A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4013LFGQ-7 系列 DMP4013LFGQ
  • PDF DMP4013LFGQ-7.pdf
Консультация
DMN601TK-7

DMN601TK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN601TK-7
  • КорпусSOT-523-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 300mA мощность (Pd) 150mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN601TK-7 系列 DMN601TK
  • PDF DMN601TK-7.pdf
Консультация
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN2B01FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.1A мощность (Pd) 625mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN2B01FTA 系列 ZXMN2B01FTA
  • PDF ZXMN2B01FTA.pdf
Консультация
DMP2160U-7

DMP2160U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2160U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 3.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80mΩ@4.5V,1.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2160U-7 系列 DMP2160U DMP2160U-7
  • PDF DMP2160U-7.pdf
Консультация
DMP3010LK3-13

DMP3010LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3010LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 17A мощность (Pd) 1.7W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8mΩ@10V,10A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3010LK3-13 系列 DMP3010LK3
  • PDF DMP3010LK3-13.pdf
Консультация
DMN3150L-7

DMN3150L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3150L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 28V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 85mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3150L-7 系列 DMN3150L
  • PDF DMN3150L-7.pdf
Консультация
DMC2038LVT-7

DMC2038LVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2038LVT-7
  • КорпусTSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.7A；2.6A мощность (Pd) 800mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V корпус TSOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2038LVT-7 系列 DMC2038LVT
  • PDF DMC2038LVT-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 89101112131415...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd