О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

Категория：
датчик ориентации /гироскопMCU/MPU/SOCMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)пассивный кварцевый резонаторполупроводниковый разрядник (TSS)плавкий предохранитель
Мультивыбор
Корпус：
100-LQFP36-VFQFPN48-UFQFPNCCLGA-16(5x5)D2PAKDFN-8(5x6)DO-214AADPAKH2PAK-2ISOTOPLFBGA-100LGA-12(2x2)LGA-14LGA-14(2.5x3)LGA-14(3x5)LGA-16LGA-16(3x3)LGA-16(4.4x7.5)LGA-24(3x3.5)LGA-28(5x5)LQFP-100LQFP-144LQFP-176LQFP-208LQFP-32LQFP-44LQFP-48LQFP-64PDFN-8(5x5.8)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8QFN-16(3x3)QFN-24(4x4)QFN-24-EP(4x4)QFPN-28(7x7)SMBSMDSMD-14PSO-8SOIC-8SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-6LTFLGA-16TFLGA-16(3x3)TO-220TO-220-3TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247AC-3TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-3TO-261-4TO-263-2TO-263-6TO-3PFTO-3PF-3TO-92TOLLTSSOP-20UFBGA-201UFQFN -32UFQFN-20UFQFN-28UFQFN-32UFQFPN-32UFQFPN-48VDFN-8-PowerVFLGA-14VFQFN-36
Ещё ⤵Мультивыбор
STP20N65M5

STP20N65M5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20N65M5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP20N65M5корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)650Vпостоянный ток стока (Id)18Aмощность (Pd)130Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)190mΩ@9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)45nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.345nF@100Vобратная передача …
  • PDF STP20N65M5.pdf
Консультация
STQ2HNK60ZR-AP

STQ2HNK60ZR-AP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTQ2HNK60ZR-AP
  • КорпусTO-92
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STQ2HNK60ZR-APкорпус TO-92тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)500mAмощность (Pd)3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.8Ω@1A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)15nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)280pF@25Vрабочая температура …
  • PDF STQ2HNK60ZR-AP.pdf
Консультация
STD35NF06T4

STD35NF06T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD35NF06T4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD35NF06T4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)35Aмощность (Pd)80Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)20mΩ@10V,17.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STD35NF06T4.pdf
Консультация
STP2N80K5

STP2N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP2N80K5
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP2N80K5корпус TO-220-3FET тип N 通道технология MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）800 V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)2A（Tc）驱动напряжение 10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 4.5 Ом @ 1A，10V不…
  • PDF STP2N80K5.pdf
Консультация
STP55NF06

STP55NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP55NF06
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP55NF06корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)50Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STP55NF06.pdf
Консультация
STP55NF06

STP55NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP55NF06
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP55NF06корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)50Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STP55NF06.pdf
Консультация
STP80NF10

STP80NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80NF10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP80NF10корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)182nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.5nF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STP80NF10.pdf
Консультация
STP20NM60FP

STP20NM60FP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20NM60FP
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP20NM60FPкорпус TO-220FPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)54nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@25Vобратная передача …
  • PDF STP20NM60FP.pdf
Консультация
STD30NF06LT4

STD30NF06LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD30NF06LT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD30NF06LT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)35Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)28mΩ@10V,18Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)31nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.6nF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STD30NF06LT4.pdf
Консультация
STL76DN4LF7AG

STL76DN4LF7AG-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL76DN4LF7AG
  • КорпусPowerVDFN-8
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL76DN4LF7AGкорпус PowerVDFN-8тип 2个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)40Aсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6mΩ@10A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)956pF@25Vрабочая температура -55℃~+…
  • PDF STL76DN4LF7AG.pdf
Консультация
STP20N90K5

STP20N90K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20N90K5
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP20N90K5корпус TO-220-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)40nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@100Vрабочая температура …
  • PDF STP20N90K5.pdf
Консультация
STP80N240K6

STP80N240K6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80N240K6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP80N240K6корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)16Aмощность (Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)220mΩ@7A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)25.9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.35nF@100Vрабочий 温…
  • PDF STP80N240K6.pdf
Консультация
STF140N6F7

STF140N6F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF140N6F7
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF140N6F7корпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)70Aмощность (Pd)33Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.5mΩ@10V,35Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STF140N6F7.pdf
Консультация
STW4N150

STW4N150-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW4N150
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW4N150корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.5kVпостоянный ток стока (Id)4Aмощность (Pd)160Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)7Ω@10V,2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)50nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25V
  • PDF STW4N150.pdf
Консультация
STP17NF25

STP17NF25-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP17NF25
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP17NF25корпус TO-220AB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)250Vпостоянный ток стока (Id)17Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)165mΩ@10V,8.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1nF@25Vрабочая температура …
  • PDF STP17NF25.pdf
Консультация
STF8N90K5

STF8N90K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF8N90K5
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF8N90K5корпус TO-220FPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)8Aмощность (Pd)130Wпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAрабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
  • PDF STF8N90K5.pdf
Консультация
STF42N60M2-EP

STF42N60M2-EP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF42N60M2-EP
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF42N60M2-EPкорпус TO-220FPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)34Aмощность (Pd)40Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)87mΩпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.75V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)55nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.37nF@100V
  • PDF STF42N60M2-EP.pdf
Консультация
STP15N80K5

STP15N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP15N80K5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP15N80K5корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)14Aмощность (Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)375mΩ@7A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)32nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.1nF@100Vобратная передача 电…
  • PDF STP15N80K5.pdf
Консультация
STP60NF06

STP60NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP60NF06
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP60NF06корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)60Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)16mΩ@10V,30Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)73nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.66nF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STP60NF06.pdf
Консультация
STD5N95K3

STD5N95K3-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD5N95K3
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD5N95K3корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)4Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.5Ω@2A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)19nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)460pF@25Vрабочая температура -55℃~+15…
  • PDF STD5N95K3.pdf
Консультация
Всего записей: 446«Предыдущая1... 1415161718192021...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd