О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

Категория：
датчик ориентации /гироскопMCU/MPU/SOCMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)пассивный кварцевый резонаторполупроводниковый разрядник (TSS)плавкий предохранитель
Мультивыбор
Корпус：
100-LQFP36-VFQFPN48-UFQFPNCCLGA-16(5x5)D2PAKDFN-8(5x6)DO-214AADPAKH2PAK-2ISOTOPLFBGA-100LGA-12(2x2)LGA-14LGA-14(2.5x3)LGA-14(3x5)LGA-16LGA-16(3x3)LGA-16(4.4x7.5)LGA-24(3x3.5)LGA-28(5x5)LQFP-100LQFP-144LQFP-176LQFP-208LQFP-32LQFP-44LQFP-48LQFP-64PDFN-8(5x5.8)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8QFN-16(3x3)QFN-24(4x4)QFN-24-EP(4x4)QFPN-28(7x7)SMBSMDSMD-14PSO-8SOIC-8SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-6LTFLGA-16TFLGA-16(3x3)TO-220TO-220-3TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247AC-3TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-3TO-261-4TO-263-2TO-263-6TO-3PFTO-3PF-3TO-92TOLLTSSOP-20UFBGA-201UFQFN -32UFQFN-20UFQFN-28UFQFN-32UFQFPN-32UFQFPN-48VDFN-8-PowerVFLGA-14VFQFN-36
Ещё ⤵Мультивыбор
STW48N60M2

STW48N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW48N60M2
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW48N60M2корпус TO-247AC-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)42Aмощность (Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)70mΩ@10V,21Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STW48N60M2.pdf
Консультация
STP43N60DM2

STP43N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP43N60DM2
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP43N60DM2корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)34Aмощность (Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)93mΩ@10V,17Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)56nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.5nF@100Vрабочая температура -…
  • PDF STP43N60DM2.pdf
Консультация
STP18N60M2

STP18N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP18N60M2
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP18N60M2корпус TO-220-3FET тип N 通道технология MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）600 V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)13A（Tc）驱动напряжение 10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 280 мОм @ 6.5A，1…
  • PDF STP18N60M2.pdf
Консультация
STB60NF06LT4

STB60NF06LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB60NF06LT4
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB60NF06LT4корпус TO-263-2тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)60Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)14mΩ@10V,30Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)66nC@4.5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2nF@25Vрабочая температура -…
  • PDF STB60NF06LT4.pdf
Консультация
STT6N3LLH6

STT6N3LLH6-ST

  • Типпассивный кварцевый резонатор
  • МодельSTT6N3LLH6
  • КорпусSOT-23-6L
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STT6N3LLH6корпус SOT-23-6Lтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)6Aмощность (Pd)1.6Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)25mΩ@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)3.6nC@4.5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)283pF@24V
  • PDF STT6N3LLH6.pdf
Консультация
STF9NK90Z

STF9NK90Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF9NK90Z
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF9NK90Zкорпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)8Aмощность (Pd)40Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.3Ω@10V,3.6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STF9NK90Z.pdf
Консультация
STD8N60DM2

STD8N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD8N60DM2
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD8N60DM2корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)8Aмощность (Pd)85Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)600mΩ@10V,4Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)375pF@100V
  • PDF STD8N60DM2.pdf
Консультация
STB35N65DM2

STB35N65DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB35N65DM2
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB35N65DM2корпус D2PAKFET тип N 通道технология MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）650 V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)28A（Tc）驱动напряжение 10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 110 мОм @ 14A，10V不…
  • PDF STB35N65DM2.pdf
Консультация
STP30NF10

STP30NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP30NF10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP30NF10корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)35Aмощность (Pd)115Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)45Ω@10V,15Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)55nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.18nF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STP30NF10.pdf
Консультация
STW3N150

STW3N150-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW3N150
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW3N150корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.5kVпостоянный ток стока (Id)2.5Aмощность (Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)9Ω@10V,1.3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29.3nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STW3N150.pdf
Консультация
STD2LN60K3STD2LN60K3

STD2LN60K3STD2LN60K3-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD2LN60K3STD2LN60K3
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD2LN60K3корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)2Aмощность (Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.5Ω@1A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)12nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)235pF@50Vёмкость обратной передачи (Cr…
  • PDF STD2LN60K3STD2LN60K3.pdf
Консультация
STF24N60DM2

STF24N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF24N60DM2
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF24N60DM2корпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)18Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)200mΩ@10V,9Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA
  • PDF STF24N60DM2.pdf
Консультация
STD11N65M5

STD11N65M5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD11N65M5
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD11N65M5корпус TO-252тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)650Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)85Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)480mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)620pF@100V
  • PDF STD11N65M5.pdf
Консультация
STP5NK100Z

STP5NK100Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP5NK100Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP5NK100Zкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1kVпостоянный ток стока (Id)3.5Aмощность (Pd)125Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.7Ω@1.75A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)59nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.154nF@25V反向传…
  • PDF STP5NK100Z.pdf
Консультация
STD5N52U

STD5N52U-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD5N52U
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD5N52Uкорпус TO-252тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)525Vпостоянный ток стока (Id)4.4Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.5Ω@10V,2.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)16.9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)529pF@25Vрабочая температура -…
  • PDF STD5N52U.pdf
Консультация
STF15NM65N

STF15NM65N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF15NM65N
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF15NM65Nкорпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)650Vпостоянный ток стока (Id)12Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)380mΩ@10V,6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STF15NM65N.pdf
Консультация
STW6N95K5

STW6N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW6N95K5
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW6N95K5корпус TO-247-3напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1Ω@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)450pF@100Vёмкость обратной передачи (Crss@Vds)1.6p…
  • PDF STW6N95K5.pdf
Консультация
STO36N60M6

STO36N60M6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTO36N60M6
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STO36N60M6корпус TOLLтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)30Aмощность (Pd)230Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)99mΩ@15A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.75V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)44.3nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.96nF@100Vрабочий 温…
  • PDF STO36N60M6.pdf
Консультация
STL26NM60N

STL26NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL26NM60N
  • КорпусSMD
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL26NM60Nкорпус SMDтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)2.7A；19Aмощность (Pd)125mW；3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)160mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.8nF@50V反…
  • PDF STL26NM60N.pdf
Консультация
STP100N8F6

STP100N8F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP100N8F6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP100N8F6корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)80Vпостоянный ток стока (Id)100Aмощность (Pd)176Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@10V,50Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)100nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.955nF@25Vобратная передача 电…
  • PDF STP100N8F6.pdf
Консультация
Всего записей: 446«Предыдущая1... 1314151617181920...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd