О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

Категория：
датчик ориентации /гироскопMCU/MPU/SOCMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)пассивный кварцевый резонаторполупроводниковый разрядник (TSS)плавкий предохранитель
Мультивыбор
Корпус：
100-LQFP36-VFQFPN48-UFQFPNCCLGA-16(5x5)D2PAKDFN-8(5x6)DO-214AADPAKH2PAK-2ISOTOPLFBGA-100LGA-12(2x2)LGA-14LGA-14(2.5x3)LGA-14(3x5)LGA-16LGA-16(3x3)LGA-16(4.4x7.5)LGA-24(3x3.5)LGA-28(5x5)LQFP-100LQFP-144LQFP-176LQFP-208LQFP-32LQFP-44LQFP-48LQFP-64PDFN-8(5x5.8)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8QFN-16(3x3)QFN-24(4x4)QFN-24-EP(4x4)QFPN-28(7x7)SMBSMDSMD-14PSO-8SOIC-8SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-6LTFLGA-16TFLGA-16(3x3)TO-220TO-220-3TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247AC-3TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-3TO-261-4TO-263-2TO-263-6TO-3PFTO-3PF-3TO-92TOLLTSSOP-20UFBGA-201UFQFN -32UFQFN-20UFQFN-28UFQFN-32UFQFPN-32UFQFPN-48VDFN-8-PowerVFLGA-14VFQFN-36
Ещё ⤵Мультивыбор
STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB120NF10T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB120NF10T4 корпус D2PAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)100V постоянный ток стока (Id)110A мощность (Pd)312W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)233nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)5.2nF@25V рабочий
  • PDF STB120NF10T4.pdf
Консультация
STB10N95K5

STB10N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB10N95K5
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB10N95K5 корпус D2PAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)950V постоянный ток стока (Id)8A мощность (Pd)130W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)800mΩ@4A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA заряд затвора (Qg@Vgs)22nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)630pF@100V рабочая температура -55℃…
  • PDF STB10N95K5.pdf
Консультация
STW15N95K5

STW15N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW15N95K5
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW15N95K5 корпус TO-247-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)950V постоянный ток стока (Id)12A мощность (Pd)170W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)410mΩ@10V,6A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uA заряд затвора (Qg@Vgs)30nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)855pF@100V обратная передача …
  • PDF STW15N95K5.pdf
Консультация
STF13N65M2

STF13N65M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF13N65M2
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF13N65M2 корпус TO-220FP тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)650V постоянный ток стока (Id)10A мощность (Pd)25W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)430mΩ@5A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)590pF@100V обратная передача
  • PDF STF13N65M2.pdf
Консультация
STL3NM60N

STL3NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL3NM60N
  • КорпусPowerFLAT-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL3NM60N корпус PowerFLAT-8(3.3x3.3)FET тип N канал технология MOSFET напряжение сток-исток ( Vdss) 600 V25°C час ток - постоянный ток стока (Id)650mA( Ta) , 2.2A( Tc) драйвер напряжение 10V различные Id, Vgs час сопротивление в открытом состоянии ( …
  • PDF STL3NM60N.pdf
Консультация
STP11N65M5

STP11N65M5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP11N65M5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP11N65M5 корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)650V постоянный ток стока (Id)9A мощность (Pd)85W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)480mΩ@4.5A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)644pF@100V обратная передача
  • PDF STP11N65M5.pdf
Консультация
STP80N240K6

STP80N240K6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80N240K6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP80N240K6 корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)800V постоянный ток стока (Id)16A мощность (Pd)140W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)220mΩ@7A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uA заряд затвора (Qg@Vgs)25.9nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.35nF@100V рабочий
  • PDF STP80N240K6.pdf
Консультация
STD3NK100Z

STD3NK100Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD3NK100Z
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD3NK100Z корпус TO-252-2(DPAK)тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)1kV постоянный ток стока (Id)2.5A мощность (Pd)90W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6Ω@10V,1.25A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA заряд затвора (Qg@Vgs)18nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)601pF@25V рабочий …
  • PDF STD3NK100Z.pdf
Консультация
STP14NM50N

STP14NM50N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP14NM50N
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP14NM50N корпус TO-220AB-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)500V постоянный ток стока (Id)12A мощность (Pd)90W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)320mΩ@10V,6A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uA заряд затвора (Qg@Vgs)27nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)816pF@50V рабочая температура …
  • PDF STP14NM50N.pdf
Консультация
STP3NK80Z

STP3NK80Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP3NK80Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP3NK80Z корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)800V постоянный ток стока (Id)2.5A мощность (Pd)70W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.5Ω@1.25A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA заряд затвора (Qg@Vgs)19nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)485pF@25V обратная передача
  • PDF STP3NK80Z.pdf
Консультация
STP20NK50Z

STP20NK50Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20NK50Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP20NK50Z корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)500V постоянный ток стока (Id)17A мощность (Pd)190W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STP20NK50Z.pdf
Консультация
STP55NF06L

STP55NF06L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP55NF06L
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP55NF06L корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)60V постоянный ток стока (Id)55A мощность (Pd)95W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1.7V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)37nC@4.5V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.7nF@25V рабочая температура …
  • PDF STP55NF06L.pdf
Консультация
STP20N90K5

STP20N90K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20N90K5
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP20N90K5 корпус TO-220-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)900V постоянный ток стока (Id)20A мощность (Pd)250W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA заряд затвора (Qg@Vgs)40nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@100V рабочая температура …
  • PDF STP20N90K5.pdf
Консультация
STP15N80K5

STP15N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP15N80K5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP15N80K5 корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)800V постоянный ток стока (Id)14A мощность (Pd)190W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)375mΩ@7A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA заряд затвора (Qg@Vgs)32nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.1nF@100V обратная передача
  • PDF STP15N80K5.pdf
Консультация
STP80NF06

STP80NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80NF06
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP80NF06 корпус TO-220AB-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)60V постоянный ток стока (Id)80A мощность (Pd)300W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@10V,40A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)150nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)3.85nF@25V
  • PDF STP80NF06.pdf
Консультация
STB13N60M2

STB13N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB13N60M2
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB13N60M2 корпус TO-263-2 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)650V постоянный ток стока (Id)11A мощность (Pd)110W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)580pF@100V рабочий
  • PDF STB13N60M2.pdf
Консультация
STD36P4LLF6

STD36P4LLF6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD36P4LLF6
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD36P4LLF6 корпус TO-252-2(DPAK)тип 1 P канал напряжение сток-исток (Vdss)40V постоянный ток стока (Id)36A мощность (Pd)60W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)22nC@4.5V входная ёмкость (Ciss@Vds)2.85nF@2…
  • PDF STD36P4LLF6.pdf
Консультация
STD3NM60N

STD3NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD3NM60N
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD3NM60N корпус DPAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)600V постоянный ток стока (Id)3.3A мощность (Pd)50W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.6Ω@10V,1.65A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)9.5nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)188pF@50Vёмкость обратной передачи …
  • PDF STD3NM60N.pdf
Консультация
STD36P4LLF6

STD36P4LLF6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD36P4LLF6
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD36P4LLF6 корпус TO-252-2(DPAK)тип 1 P канал напряжение сток-исток (Vdss)40V постоянный ток стока (Id)36A мощность (Pd)60W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)22nC@4.5V входная ёмкость (Ciss@Vds)2.85nF@2…
  • PDF STD36P4LLF6.pdf
Консультация
STP11NK40ZFP

STP11NK40ZFP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP11NK40ZFP
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP11NK40ZFP корпус TO-220F-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)400V постоянный ток стока (Id)9A мощность (Pd)30W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)550mΩ@10V,4.5A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STP11NK40ZFP.pdf
Консультация
Всего записей: 446«Предыдущая1... 17181920212223Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd