О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

Категория：
датчик ориентации /гироскопMCU/MPU/SOCMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)пассивный кварцевый резонаторполупроводниковый разрядник (TSS)плавкий предохранитель
Мультивыбор
Корпус：
100-LQFP36-VFQFPN48-UFQFPNCCLGA-16(5x5)D2PAKDFN-8(5x6)DO-214AADPAKH2PAK-2ISOTOPLFBGA-100LGA-12(2x2)LGA-14LGA-14(2.5x3)LGA-14(3x5)LGA-16LGA-16(3x3)LGA-16(4.4x7.5)LGA-24(3x3.5)LGA-28(5x5)LQFP-100LQFP-144LQFP-176LQFP-208LQFP-32LQFP-44LQFP-48LQFP-64PDFN-8(5x5.8)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8QFN-16(3x3)QFN-24(4x4)QFN-24-EP(4x4)QFPN-28(7x7)SMBSMDSMD-14PSO-8SOIC-8SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-6LTFLGA-16TFLGA-16(3x3)TO-220TO-220-3TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247AC-3TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-3TO-261-4TO-263-2TO-263-6TO-3PFTO-3PF-3TO-92TOLLTSSOP-20UFBGA-201UFQFN -32UFQFN-20UFQFN-28UFQFN-32UFQFPN-32UFQFPN-48VDFN-8-PowerVFLGA-14VFQFN-36
Ещё ⤵Мультивыбор
STW70N60DM2

STW70N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW70N60DM2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW70N60DM2корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)66Aмощность (Pd)446Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)42mΩ@10V,33Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)121nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.508nF@100Vрабочий …
  • PDF STW70N60DM2.pdf
Консультация
STD10P6F6

STD10P6F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10P6F6
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10P6F6корпус DPAKтип 1个Pканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)10Aмощность (Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)160mΩ@10V,5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.4nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)340pF@48V
  • PDF STD10P6F6.pdf
Консультация
STF26NM60N

STF26NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF26NM60N
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF26NM60Nкорпус TO-220Fтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)165mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.8nF@50V
  • PDF STF26NM60N.pdf
Консультация
IRF630

IRF630-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельIRF630
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул IRF630корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)200Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)75Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)400mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)45nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)700pF@25Vрабочая температура -65℃~+…
  • PDF IRF630.pdf
Консультация
STW9NK90Z

STW9NK90Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW9NK90Z
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW9NK90Zкорпус TO-247AC-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)8Aмощность (Pd)160Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.3Ω@10V,3.6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STW9NK90Z.pdf
Консультация
STF6N95K5

STF6N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF6N95K5
  • КорпусTO-220FPAB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF6N95K5корпус TO-220FPAB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.25Ω@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)450pF@100Vрабочая температура …
  • PDF STF6N95K5.pdf
Консультация
STW20NM60

STW20NM60-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW20NM60
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW20NM60корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)192Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)290mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)54nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
Консультация
STW20NM60

STW20NM60-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW20NM60
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW20NM60корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)192Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)290mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)54nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
Консультация
STN1NK60Z

STN1NK60Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN1NK60Z
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN1NK60Zкорпус SOT-223тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)300mAмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15Ω@400mA,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)94pF@25Vобратная передача …
  • PDF STN1NK60Z.pdf
Консультация
STN1NK80Z

STN1NK80Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN1NK80Z
  • КорпусSOT-223-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN1NK80Zкорпус SOT-223-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)250mAмощность (Pd)2.5Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)16Ω@10V,500mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)7.7nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)160pF@25Vрабочий …
  • PDF STN1NK80Z.pdf
Консультация
STD100N10F7

STD100N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD100N10F7
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD100N10F7корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)120Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)61nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)4.369nF@50Vрабочая температура -…
  • PDF STD100N10F7.pdf
Консультация
STD10NF10T4

STD10NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10NF10T4
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10NF10T4корпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)13Aмощность (Pd)50Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)130mΩ@10V,5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)21nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)460pF@25Vрабочий …
  • PDF STD10NF10T4.pdf
Консультация
STF13N60M2

STF13N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF13N60M2
  • КорпусTO-220FPAB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF13N60M2корпус TO-220FPAB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)580pF@100Vрабочий …
  • PDF STF13N60M2.pdf
Консультация
STB55NF06T4

STB55NF06T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB55NF06T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB55NF06T4корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)50Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25Vрабочая температура -5…
  • PDF STB55NF06T4.pdf
Консультация
STP110N7F6

STP110N7F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP110N7F6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP110N7F6корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)68Vпостоянный ток стока (Id)110Aмощность (Pd)176Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5.5mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)100nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.85nF@25Vобратная передача …
  • PDF STP110N7F6.pdf
Консультация
STP5NK52ZD

STP5NK52ZD-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP5NK52ZD
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP5NK52ZDкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)520Vпостоянный ток стока (Id)4.4Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.22Ω@10V,2.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)16.9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)529pF@25V反向传…
  • PDF STP5NK52ZD.pdf
Консультация
STD13NM60N

STD13NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD13NM60N
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD13NM60Nкорпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)360mΩ@5.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)30nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)790pF@50V
  • PDF STD13NM60N.pdf
Консультация
STD20NF06LT4

STD20NF06LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD20NF06LT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD20NF06LT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)24Aмощность (Pd)60Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)40mΩ@10V,12Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)660pF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STD20NF06LT4.pdf
Консультация
STD110N8F6

STD110N8F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD110N8F6
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD110N8F6корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)80Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)167Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6.5mΩ@40A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)150nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)9.13nF@40Vобратная передача 电…
  • PDF STD110N8F6.pdf
Консультация
STP90NF03L

STP90NF03L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP90NF03L
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP90NF03Lкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)90Aмощность (Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6.5mΩ@10V,45Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)47nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.7nF@25Vрабочая температура -6…
  • PDF STP90NF03L.pdf
Консультация
Всего записей: 446«Предыдущая1... 1011121314151617...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd