О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

Категория：
датчик ориентации /гироскопMCU/MPU/SOCMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)пассивный кварцевый резонаторполупроводниковый разрядник (TSS)плавкий предохранитель
Мультивыбор
Корпус：
100-LQFP36-VFQFPN48-UFQFPNCCLGA-16(5x5)D2PAKDFN-8(5x6)DO-214AADPAKH2PAK-2ISOTOPLFBGA-100LGA-12(2x2)LGA-14LGA-14(2.5x3)LGA-14(3x5)LGA-16LGA-16(3x3)LGA-16(4.4x7.5)LGA-24(3x3.5)LGA-28(5x5)LQFP-100LQFP-144LQFP-176LQFP-208LQFP-32LQFP-44LQFP-48LQFP-64PDFN-8(5x5.8)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8QFN-16(3x3)QFN-24(4x4)QFN-24-EP(4x4)QFPN-28(7x7)SMBSMDSMD-14PSO-8SOIC-8SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-6LTFLGA-16TFLGA-16(3x3)TO-220TO-220-3TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247AC-3TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-3TO-261-4TO-263-2TO-263-6TO-3PFTO-3PF-3TO-92TOLLTSSOP-20UFBGA-201UFQFN -32UFQFN-20UFQFN-28UFQFN-32UFQFPN-32UFQFPN-48VDFN-8-PowerVFLGA-14VFQFN-36
Ещё ⤵Мультивыбор
STB80NF10T4

STB80NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB80NF10T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB80NF10T4корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)182nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.5nF@25Vрабочая температура -5…
  • PDF STB80NF10T4.pdf
Консультация
STP8N120K5

STP8N120K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP8N120K5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP8N120K5корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.2kVпостоянный ток стока (Id)6Aмощность (Pd)130Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@10V,2.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA
  • PDF STP8N120K5.pdf
Консультация
STL110N10F7

STL110N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL110N10F7
  • КорпусPowerFLAT-8(5x6)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL110N10F7корпус PowerFLAT-8(5x6)FET тип N 通道технология MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）100 V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)107A（Tc）驱动напряжение 10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 6 мОм @…
  • PDF STL110N10F7.pdf
Консультация
STF2N95K5

STF2N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF2N95K5
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF2N95K5корпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)2Aмощность (Pd)20Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5Ω@10V,1Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA
  • PDF STF2N95K5.pdf
Консультация
STD2NK100Z

STD2NK100Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD2NK100Z
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD2NK100Zкорпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1kVпостоянный ток стока (Id)1.85Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8.5Ω@10V,900mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)16nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)499pF@25V…
  • PDF STD2NK100Z.pdf
Консультация
STL60P4LLF6

STL60P4LLF6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL60P4LLF6
  • КорпусPowerFlat-8
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL60P4LLF6корпус PowerFlat-8тип 1个Pканал напряжение сток-исток (Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)60Aмощность (Pd)100Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)14mΩ@6.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)34nC@4.5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.525nF@25V
  • PDF STL60P4LLF6.pdf
Консультация
STS1DNC45STS1DNC45

STS1DNC45STS1DNC45-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTS1DNC45STS1DNC45
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STS1DNC45корпус SOIC-8тип 2个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)450Vпостоянный ток стока (Id)400mAмощность (Pd)1.6Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.1Ω@10V,500mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3.7V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)10nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)160pF@25V反向传…
  • PDF STS1DNC45STS1DNC45.pdf
Консультация
STW12N120K5

STW12N120K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW12N120K5
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW12N120K5корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.2kVпостоянный ток стока (Id)12Aмощность (Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)620mΩ@10V,6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)44.2nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.37nF@100V反向…
  • PDF STW12N120K5.pdf
Консультация
STP4NK60ZFP

STP4NK60ZFP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP4NK60ZFP
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP4NK60ZFPкорпус TO-220Fтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)4Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@10V,2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)26nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)510pF@25V
  • PDF STP4NK60ZFP.pdf
Консультация
STS6NF20V

STS6NF20V-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTS6NF20V
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STS6NF20Vкорпус SO-8тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)20Vпостоянный ток стока (Id)6Aмощность (Pd)2.5Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)40mΩ@4.5V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)600mV@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)11.5nC@4.5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)460pF@15V
  • PDF STS6NF20V.pdf
Консультация
STW48NM60N

STW48NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW48NM60N
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW48NM60Nкорпус TO-247AC-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)44Aмощность (Pd)330Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)70mΩ@10V,20Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STW48NM60N.pdf
Консультация
STD3NK90ZT4

STD3NK90ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD3NK90ZT4
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD3NK90ZT4корпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)3Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.8Ω@10V,1.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)22.7nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)590pF@25V…
  • PDF STD3NK90ZT4.pdf
Консультация
STP6NK90Z

STP6NK90Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP6NK90Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP6NK90Zкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)5.8Aмощность (Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@10V,2.9Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.35nF@25Vрабочая температура …
  • PDF STP6NK90Z.pdf
Консультация
STP10NK60ZFP

STP10NK60ZFP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP10NK60ZFP
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP10NK60ZFPкорпус TO-220Fтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)10Aмощность (Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)750mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)70nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.37nF@25Vрабочий …
  • PDF STP10NK60ZFP.pdf
Консультация
STW20NK50Z

STW20NK50Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW20NK50Z
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW20NK50Zкорпус TO-247AC-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)500Vпостоянный ток стока (Id)17Aмощность (Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STW20NK50Z.pdf
Консультация
STF13N65M2

STF13N65M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF13N65M2
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF13N65M2корпус TO-220FPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)650Vпостоянный ток стока (Id)10Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)430mΩ@5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)590pF@100Vобратная передача 电…
  • PDF STF13N65M2.pdf
Консультация
STB6NK90ZT4

STB6NK90ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB6NK90ZT4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB6NK90ZT4корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)5.8Aмощность (Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@2.9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.35nF@25V反向传…
  • PDF STB6NK90ZT4.pdf
Консультация
STD45P4LLF6AG

STD45P4LLF6AG-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD45P4LLF6AG
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD45P4LLF6AGкорпус DPAKтип 1个Pканал напряжение сток-исток (Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)50Aмощность (Pd)58Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@25A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)65.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.525nF@25Vрабочий 温…
  • PDF STD45P4LLF6AG.pdf
Консультация
STD40NF10

STD40NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD40NF10
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD40NF10корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)50Aмощность (Pd)125Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)25mΩ@10V,25Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)62nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.18nF@25Vёмкость обратной передачи (…
  • PDF STD40NF10.pdf
Консультация
STF33N60M2

STF33N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF33N60M2
  • КорпусTO-220FP-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF33N60M2корпус TO-220FP-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)26Aмощность (Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)125mΩ@13A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)45.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.781nF@100V工…
  • PDF STF33N60M2.pdf
Консультация
Всего записей: 446«Предыдущая1... 1213141516171819...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd