О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

Категория：
датчик ориентации /гироскопMCU/MPU/SOCMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)пассивный кварцевый резонаторполупроводниковый разрядник (TSS)плавкий предохранитель
Мультивыбор
Корпус：
100-LQFP36-VFQFPN48-UFQFPNCCLGA-16(5x5)D2PAKDFN-8(5x6)DO-214AADPAKH2PAK-2ISOTOPLFBGA-100LGA-12(2x2)LGA-14LGA-14(2.5x3)LGA-14(3x5)LGA-16LGA-16(3x3)LGA-16(4.4x7.5)LGA-24(3x3.5)LGA-28(5x5)LQFP-100LQFP-144LQFP-176LQFP-208LQFP-32LQFP-44LQFP-48LQFP-64PDFN-8(5x5.8)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8QFN-16(3x3)QFN-24(4x4)QFN-24-EP(4x4)QFPN-28(7x7)SMBSMDSMD-14PSO-8SOIC-8SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-6LTFLGA-16TFLGA-16(3x3)TO-220TO-220-3TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247AC-3TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-3TO-261-4TO-263-2TO-263-6TO-3PFTO-3PF-3TO-92TOLLTSSOP-20UFBGA-201UFQFN -32UFQFN-20UFQFN-28UFQFN-32UFQFPN-32UFQFPN-48VDFN-8-PowerVFLGA-14VFQFN-36
Ещё ⤵Мультивыбор
STL20N6F7

STL20N6F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL20N6F7
  • КорпусVDFN-8-Power
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL20N6F7корпус VDFN-8-Powerтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)100Aмощность (Pd)3W；78Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5.4mΩ@10A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)25nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.6nF@25V工…
  • PDF STL20N6F7.pdf
Консультация
STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD3NK80ZT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD3NK80ZT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)2.5Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.5Ω@1.25A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)19nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)485pF@25Vобратная передача 电…
  • PDF STD3NK80ZT4.pdf
Консультация
STP20NK50Z

STP20NK50Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20NK50Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP20NK50Zкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)500Vпостоянный ток стока (Id)17Aмощность (Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STP20NK50Z.pdf
Консультация
STF5N80K5

STF5N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF5N80K5
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF5N80K5корпус TO-220FPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)4Aмощность (Pd)20Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.5Ω@10V,2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)177pF@100Vёмкость обратной передачи (…
  • PDF STF5N80K5.pdf
Консультация
STL3NM60N

STL3NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL3NM60N
  • КорпусPowerFLAT-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL3NM60Nкорпус PowerFLAT-8(3.3x3.3)FET тип N 通道технология MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）600 V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)650mA（Ta），2.2A（Tc）驱动напряжение 10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии （最…
  • PDF STL3NM60N.pdf
Консультация
STP80NF06

STP80NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80NF06
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP80NF06корпус TO-220AB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)150nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.85nF@25V
  • PDF STP80NF06.pdf
Консультация
STP11NK40ZFP

STP11NK40ZFP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP11NK40ZFP
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP11NK40ZFPкорпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)400Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)550mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STP11NK40ZFP.pdf
Консультация
STD6NF10T4

STD6NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD6NF10T4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD6NF10T4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)6Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)14nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)280pF@25Vрабочая температура -65℃~+…
  • PDF STD6NF10T4.pdf
Консультация
STW12NK90Z

STW12NK90Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW12NK90Z
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW12NK90Zкорпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)230Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)880mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)152nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.5nF@25Vрабочий …
  • PDF STW12NK90Z.pdf
Консультация
STW20N95K5

STW20N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW20N95K5
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW20N95K5корпус TO-247тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)17.5Aмощность (Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)330mΩ@9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)40nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@100Vобратная передача …
  • PDF STW20N95K5.pdf
Консультация
STP150N10F7

STP150N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP150N10F7
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP150N10F7корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)110Aмощность (Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)117nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)8.115nF@50Vрабочий …
  • PDF STP150N10F7.pdf
Консультация
STFW3N170

STFW3N170-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTFW3N170
  • КорпусTO-3PF-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STFW3N170корпус TO-3PF-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.7kVпостоянный ток стока (Id)2.6Aмощность (Pd)63Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)13Ω@10V,1.3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)44nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.1nF@100Vрабочая температура …
  • PDF STFW3N170.pdf
Консультация
STF10N95K5

STF10N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF10N95K5
  • КорпусTO-220FP-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF10N95K5корпус TO-220FP-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)8Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)800mΩ@4A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)22nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)630pF@100Vобратная передача …
  • PDF STF10N95K5.pdf
Консультация
STE145N65M5

STE145N65M5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTE145N65M5
  • КорпусISOTOP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STE145N65M5корпус ISOTOPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)650Vпостоянный ток стока (Id)143Aмощность (Pd)679Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@69A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)414nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)18.5nF@100V
  • PDF STE145N65M5.pdf
Консультация
STP7NK80ZFP

STP7NK80ZFP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP7NK80ZFP
  • КорпусTO-220FPAB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP7NK80ZFPкорпус TO-220FPAB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)5.2Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.8Ω@10V,2.6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)56nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.138nF@25…
  • PDF STP7NK80ZFP.pdf
Консультация
STP20NM60FP

STP20NM60FP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20NM60FP
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP20NM60FPкорпус TO-220FPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)250mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)54nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@25Vобратная передача …
  • PDF STP20NM60FP.pdf
Консультация
STP80NF10

STP80NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80NF10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP80NF10корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)182nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.5nF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STP80NF10.pdf
Консультация
STD10P10F6

STD10P10F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10P10F6
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10P10F6корпус TO-252-2FET тип P 通道технология MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）100 V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)10A（Tc）驱动напряжение 10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 180 мОм @ 5A，10V…
  • PDF STD10P10F6.pdf
Консультация
STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB120NF10T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB120NF10T4корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)110Aмощность (Pd)312Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)233nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.2nF@25Vрабочий 温…
  • PDF STB120NF10T4.pdf
Консультация
STB10N95K5

STB10N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB10N95K5
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB10N95K5корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)8Aмощность (Pd)130Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)800mΩ@4A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)22nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)630pF@100Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STB10N95K5.pdf
Консультация
Всего записей: 446«Предыдущая1... 1617181920212223Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd