О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

Категория：
датчик ориентации /гироскопMCU/MPU/SOCMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)пассивный кварцевый резонаторполупроводниковый разрядник (TSS)плавкий предохранитель
Мультивыбор
Корпус：
100-LQFP36-VFQFPN48-UFQFPNCCLGA-16(5x5)D2PAKDFN-8(5x6)DO-214AADPAKH2PAK-2ISOTOPLFBGA-100LGA-12(2x2)LGA-14LGA-14(2.5x3)LGA-14(3x5)LGA-16LGA-16(3x3)LGA-16(4.4x7.5)LGA-24(3x3.5)LGA-28(5x5)LQFP-100LQFP-144LQFP-176LQFP-208LQFP-32LQFP-44LQFP-48LQFP-64PDFN-8(5x5.8)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8QFN-16(3x3)QFN-24(4x4)QFN-24-EP(4x4)QFPN-28(7x7)SMBSMDSMD-14PSO-8SOIC-8SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-6LTFLGA-16TFLGA-16(3x3)TO-220TO-220-3TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247AC-3TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-3TO-261-4TO-263-2TO-263-6TO-3PFTO-3PF-3TO-92TOLLTSSOP-20UFBGA-201UFQFN -32UFQFN-20UFQFN-28UFQFN-32UFQFPN-32UFQFPN-48VDFN-8-PowerVFLGA-14VFQFN-36
Ещё ⤵Мультивыбор
STB15N80K5

STB15N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB15N80K5
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB15N80K5 корпус D2PAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)800V постоянный ток стока (Id)14A мощность (Pd)190W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)300mΩ@10V,7A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uA заряд затвора (Qg@Vgs)32nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.1nF@100vёмкость обратной передачи …
  • PDF STB15N80K5.pdf
Консультация
STD120N4F6

STD120N4F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD120N4F6
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD120N4F6 корпус DPAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)40V постоянный ток стока (Id)80A мощность (Pd)110W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4mΩ@40A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)65nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)3.85nF@25V рабочая температура -55℃~…
  • PDF STD120N4F6.pdf
Консультация
STN4NF06L

STN4NF06L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN4NF06L
  • КорпусTO-261-4
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN4NF06L корпус TO-261-4 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)60V постоянный ток стока (Id)4A мощность (Pd)3.3W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)100mΩ@1.5A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.8V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)9nC@5V входная ёмкость (Ciss@Vds)340pF@25V рабочая температура -5…
  • PDF STN4NF06L.pdf
Консультация
STP150N10F7

STP150N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP150N10F7
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP150N10F7 корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)100V постоянный ток стока (Id)110A мощность (Pd)250W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)117nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)8.115nF@50V рабочий …
  • PDF STP150N10F7.pdf
Консультация
STP40NF10

STP40NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP40NF10
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP40NF10 корпус TO-220AB-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)100V постоянный ток стока (Id)50A мощность (Pd)150W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)25mΩ@10V,25A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)62nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)2.18nF@25V обратная передача …
  • PDF STP40NF10.pdf
Консультация
STW11NM80

STW11NM80-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW11NM80
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW11NM80 корпус TO-247-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)800V постоянный ток стока (Id)11A мощность (Pd)150W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)350mΩ@10V,5.5A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)43.6nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.63nF@25V
  • PDF STW11NM80.pdf
Консультация
STP100N10F7

STP100N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP100N10F7
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP100N10F7 корпус TO-247-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)100V постоянный ток стока (Id)80A мощность (Pd)150W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@40A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)61nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)4.369nF@50V рабочий
  • PDF STP100N10F7.pdf
Консультация
STF22NM60N

STF22NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF22NM60N
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF22NM60N корпус TO-220F-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)600V постоянный ток стока (Id)16A мощность (Pd)30W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)220mΩ@10V,8A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uA
  • PDF STF22NM60N.pdf
Консультация
STD25NF20

STD25NF20-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD25NF20
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD25NF20 корпус DPAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)200V постоянный ток стока (Id)18A мощность (Pd)110W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)125mΩ@10V,10A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)39nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)940pF@25V рабочая температура -55℃…
  • PDF STD25NF20.pdf
Консультация
STL40DN3LLH5

STL40DN3LLH5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL40DN3LLH5
  • КорпусPowerFLAT-5x6-8
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL40DN3LLH5 корпус PowerFLAT-5x6-8 конфигурация 2 N-канал FET функция -напряжение сток-исток ( Vdss) 30V25°C час ток - постоянный ток стока (Id)40A различные Id, Vgs час сопротивление в открытом состоянии 18 мОм @ 5.5A, 10V различные Id час Vgs(th)1.5V @ 250µA различные Vg…
  • PDF STL40DN3LLH5.pdf
Консультация
STD3NK60ZT4

STD3NK60ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD3NK60ZT4
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD3NK60ZT4 корпус TO-252-2 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)600V постоянный ток стока (Id)2.4A мощность (Pd)45W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.6Ω@10V,1.2A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA
  • PDF STD3NK60ZT4.pdf
Консультация
STD10P10F6

STD10P10F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10P10F6
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10P10F6 корпус TO-252-2FET тип P канал технология MOSFET напряжение сток-исток ( Vdss) 100 V25°C час ток - постоянный ток стока (Id)10A( Tc) драйвер напряжение 10V различные Id, Vgs час сопротивление в открытом состоянии 180 мОм @ 5A, 10V…
  • PDF STD10P10F6.pdf
Консультация
STD4N80K5

STD4N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD4N80K5
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD4N80K5 корпус TO-252 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)800V постоянный ток стока (Id)3A мощность (Pd)60W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2.5Ω@10V,1.5A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA заряд затвора (Qg@Vgs)10.5nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)175pF@100V рабочая температура -5…
  • PDF STD4N80K5.pdf
Консультация
STW48N60DM2

STW48N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW48N60DM2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW48N60DM2 корпус TO-247-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)600V постоянный ток стока (Id)40A мощность (Pd)300W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)79mΩ@10V,20A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)70nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)3.25nF@100V рабочий
  • PDF STW48N60DM2.pdf
Консультация
STS5NF60L

STS5NF60L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTS5NF60L
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STS5NF60L корпус SO-8 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)60V постоянный ток стока (Id)5A мощность (Pd)2.5W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)55mΩ@10V,2.5A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)17nC@5V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.25nF@25V
  • PDF STS5NF60L.pdf
Консультация
STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB120NF10T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB120NF10T4 корпус D2PAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)100V постоянный ток стока (Id)110A мощность (Pd)312W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)233nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)5.2nF@25V рабочий
  • PDF STB120NF10T4.pdf
Консультация
STH240N10F7-6

STH240N10F7-6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTH240N10F7-6
  • КорпусTO-263-6
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STH240N10F7-6 корпус TO-263-6 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)100V постоянный ток стока (Id)180A мощность (Pd)300W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2.5mΩ@60A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)160nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)11.55nF@25…
  • PDF STH240N10F7-6.pdf
Консультация
STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD4NK80ZT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD4NK80ZT4 корпус DPAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)800V постоянный ток стока (Id)3A мощность (Pd)80W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.5Ω@10V,1.5A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA заряд затвора (Qg@Vgs)22.5nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)575pF@25V рабочая температура -5…
  • PDF STD4NK80ZT4.pdf
Консультация
STB10N95K5

STB10N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB10N95K5
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB10N95K5 корпус D2PAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)950V постоянный ток стока (Id)8A мощность (Pd)130W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)800mΩ@4A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA заряд затвора (Qg@Vgs)22nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)630pF@100V рабочая температура -55℃…
  • PDF STB10N95K5.pdf
Консультация
STP11N65M5

STP11N65M5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP11N65M5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP11N65M5 корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)650V постоянный ток стока (Id)9A мощность (Pd)85W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)480mΩ@4.5A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)644pF@100V обратная передача
  • PDF STP11N65M5.pdf
Консультация
Всего записей: 446«Предыдущая1... 151617181920212223Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd