О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

Категория：
датчик ориентации /гироскопMCU/MPU/SOCMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)пассивный кварцевый резонаторполупроводниковый разрядник (TSS)плавкий предохранитель
Мультивыбор
Корпус：
100-LQFP36-VFQFPN48-UFQFPNCCLGA-16(5x5)D2PAKDFN-8(5x6)DO-214AADPAKH2PAK-2ISOTOPLFBGA-100LGA-12(2x2)LGA-14LGA-14(2.5x3)LGA-14(3x5)LGA-16LGA-16(3x3)LGA-16(4.4x7.5)LGA-24(3x3.5)LGA-28(5x5)LQFP-100LQFP-144LQFP-176LQFP-208LQFP-32LQFP-44LQFP-48LQFP-64PDFN-8(5x5.8)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8QFN-16(3x3)QFN-24(4x4)QFN-24-EP(4x4)QFPN-28(7x7)SMBSMDSMD-14PSO-8SOIC-8SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-6LTFLGA-16TFLGA-16(3x3)TO-220TO-220-3TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247AC-3TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-3TO-261-4TO-263-2TO-263-6TO-3PFTO-3PF-3TO-92TOLLTSSOP-20UFBGA-201UFQFN -32UFQFN-20UFQFN-28UFQFN-32UFQFPN-32UFQFPN-48VDFN-8-PowerVFLGA-14VFQFN-36
Ещё ⤵Мультивыбор
STD2NK90ZT4

STD2NK90ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD2NK90ZT4
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD2NK90ZT4корпус TO-252тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)2.1Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5Ω@10V,1.05Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)27nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)485pF@25Vобратная передача 电…
  • PDF STD2NK90ZT4.pdf
Консультация
STD5N20LT4

STD5N20LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD5N20LT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD5N20LT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)200Vпостоянный ток стока (Id)5Aмощность (Pd)33Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)700mΩ@5V,2.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)242pF@25Vрабочая температура -55℃~+…
  • PDF STD5N20LT4.pdf
Консультация
STW70N60M2

STW70N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW70N60M2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW70N60M2корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)68Aмощность (Pd)450Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)40mΩ@10V,34Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)118nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.2nF@100Vрабочая температура …
  • PDF STW70N60M2.pdf
Консультация
STD2N95K5

STD2N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD2N95K5
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD2N95K5корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)2Aмощность (Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5Ω@10V,1Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)10nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)105pF@100Vрабочая температура -55℃~+150…
  • PDF STD2N95K5.pdf
Консультация
STF8N80K5

STF8N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF8N80K5
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF8N80K5корпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)6Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)950mΩ@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA
  • PDF STF8N80K5.pdf
Консультация
STP15810

STP15810-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP15810
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP15810корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)110Aмощность (Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA
  • PDF STP15810.pdf
Консультация
STN3P6F6

STN3P6F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN3P6F6
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN3P6F6корпус SOT-223тип 1个Pканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)3Aмощность (Pd)2.6Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)160mΩ@10V,1.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.4nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)340pF@48Vрабочая температура -55…
  • PDF STN3P6F6.pdf
Консультация
STL220N6F7

STL220N6F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL220N6F7
  • КорпусDFN-8(5x6)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL220N6F7корпус DFN-8(5x6)FET тип N 通道технология MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）60 V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)120A（Tc）驱动напряжение 10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 1.4 мОм @ 20A，…
  • PDF STL220N6F7.pdf
Консультация
STD1NK60T4

STD1NK60T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD1NK60T4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD1NK60T4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)1Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8.5Ω@10V,500mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3.7V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)10nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)156pF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STD1NK60T4.pdf
Консультация
STD1NK60T4

STD1NK60T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD1NK60T4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD1NK60T4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)1Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8.5Ω@10V,500mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3.7V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)10nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)156pF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STD1NK60T4.pdf
Консультация
STN3N40K3

STN3N40K3-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN3N40K3
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN3N40K3корпус SOT-223тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)400Vпостоянный ток стока (Id)1.8Aмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.4Ω@10V,600mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)11nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)165pF@50Vрабочая температура …
  • PDF STN3N40K3.pdf
Консультация
STD10N60M2

STD10N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10N60M2
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10N60M2корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)7.5Aмощность (Pd)85Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)600mΩ@3A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)400pF@100Vрабочая температура -5…
  • PDF STD10N60M2.pdf
Консультация
STP80NF70

STP80NF70-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80NF70
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP80NF70корпус TO-220AB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)68Vпостоянный ток стока (Id)98Aмощность (Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)9.8mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)75nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.55nF@25Vрабочая температура …
  • PDF STP80NF70.pdf
Консультация
STD10NM60N

STD10NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10NM60N
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10NM60Nкорпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)10Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)550mΩ@10V,4Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)19nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)540pF@50Vрабочий …
  • PDF STD10NM60N.pdf
Консультация
STL140N6F7

STL140N6F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL140N6F7
  • КорпусPDFN-8(5x5.8)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL140N6F7корпус PDFN-8(5x5.8)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)145Aмощность (Pd)4.8Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2.5mΩ@10V,16Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@1mA
  • PDF STL140N6F7.pdf
Консультация
STD10NF30

STD10NF30-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10NF30
  • КорпусTO-252(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10NF30корпус TO-252(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)300Vпостоянный ток стока (Id)10Aмощность (Pd)103Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)330mΩ@5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)23nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)780pF@25Vрабочий 温…
  • PDF STD10NF30.pdf
Консультация
STF18N60M2

STF18N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF18N60M2
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF18N60M2корпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)13Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)280mΩ@10V,6.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STF18N60M2.pdf
Консультация
STS2DNF30L

STS2DNF30L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTS2DNF30L
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STS2DNF30Lкорпус SO-8тип 2个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)3Aмощность (Pd)2Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)110mΩ@10V,1Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)4.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)121pF@25Vрабочая температура -55℃~…
  • PDF STS2DNF30L.pdf
Консультация
STW24N60M2

STW24N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW24N60M2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW24N60M2корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)18Aмощность (Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)190mΩ@9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.06nF@100Vобратная передача …
  • PDF STW24N60M2.pdf
Консультация
VNN7NV04PTR-E

VNN7NV04PTR-E-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельVNN7NV04PTR-E
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул VNN7NV04PTR-Eкорпус SOT-223-4тип переключения 通用число выходов 1коэффициент - вход:выход 0.042361111конфигурация выхода нижнее плечо (Low-Side) тип выхода N напряжение вкл/выкл интерфейса канала - 负载36Vнапряжение - питание (Vcc/Vdd)ток не требуется - 输出6Aсопротивление в открытом состоянии 65 мОм （最…
  • PDF VNN7NV04PTR-E.pdf
Консультация
Всего записей: 446«Предыдущая1... 1112131415161718...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd