О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

Категория：
датчик ориентации /гироскопMCU/MPU/SOCMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)пассивный кварцевый резонаторполупроводниковый разрядник (TSS)плавкий предохранитель
Мультивыбор
Корпус：
100-LQFP36-VFQFPN48-UFQFPNCCLGA-16(5x5)D2PAKDFN-8(5x6)DO-214AADPAKH2PAK-2ISOTOPLFBGA-100LGA-12(2x2)LGA-14LGA-14(2.5x3)LGA-14(3x5)LGA-16LGA-16(3x3)LGA-16(4.4x7.5)LGA-24(3x3.5)LGA-28(5x5)LQFP-100LQFP-144LQFP-176LQFP-208LQFP-32LQFP-44LQFP-48LQFP-64PDFN-8(5x5.8)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8QFN-16(3x3)QFN-24(4x4)QFN-24-EP(4x4)QFPN-28(7x7)SMBSMDSMD-14PSO-8SOIC-8SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-6LTFLGA-16TFLGA-16(3x3)TO-220TO-220-3TO-220AB-3TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247AC-3TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-3TO-261-4TO-263-2TO-263-6TO-3PFTO-3PF-3TO-92TOLLTSSOP-20UFBGA-201UFQFN -32UFQFN-20UFQFN-28UFQFN-32UFQFPN-32UFQFPN-48VDFN-8-PowerVFLGA-14VFQFN-36
Ещё ⤵Мультивыбор
STFW3N150

STFW3N150-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTFW3N150
  • КорпусTO-3PF
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STFW3N150корпус TO-3PFтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.5kVпостоянный ток стока (Id)2.5Aмощность (Pd)63Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)9Ω@10V,1.3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29.3nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STFW3N150.pdf
Консультация
STL90N10F7

STL90N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL90N10F7
  • КорпусPowerFLAT-8(5x6)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL90N10F7корпус PowerFLAT-8(5x6)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)70Aмощность (Pd)5Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,8Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STL90N10F7.pdf
Консультация
STP75NF75

STP75NF75-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP75NF75
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP75NF75корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)75Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)11mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)160nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.7nF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STP75NF75.pdf
Консультация
STP110N8F6

STP110N8F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP110N8F6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP110N8F6корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)80Vпостоянный ток стока (Id)110Aмощность (Pd)200Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6.5mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)150nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)9.13nF@40Vрабочий 温…
  • PDF STP110N8F6.pdf
Консультация
STW26NM60N

STW26NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW26NM60N
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW26NM60Nкорпус TO-247AC-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)165mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STW26NM60N.pdf
Консультация
STN3NF06L

STN3NF06L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN3NF06L
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN3NF06Lкорпус SOT-223-4тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)4Aмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)100mΩ@10V,1.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.8V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)9nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)340pF@25Vрабочая температура -…
  • PDF STN3NF06L.pdf
Консультация
STW33N60M2

STW33N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW33N60M2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW33N60M2корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)26Aмощность (Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)125mΩ@10V,13Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)45.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.781nF@100Vрабочий …
  • PDF STW33N60M2.pdf
Консультация
STP26NM60N

STP26NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP26NM60N
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP26NM60Nкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)165mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.8nF@50V
  • PDF STP26NM60N.pdf
Консультация
STN4NF20L

STN4NF20L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN4NF20L
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN4NF20Lкорпус SOT-223тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)200Vпостоянный ток стока (Id)1Aмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.5Ω@10V,500mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)900pC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)150pF@25Vрабочая температура -…
  • PDF STN4NF20L.pdf
Консультация
STB24N60DM2

STB24N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB24N60DM2
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB24N60DM2корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)18Aмощность (Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)200mΩ@9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.055nF@100Vрабочая температура …
  • PDF STB24N60DM2.pdf
Консультация
STL130N6F7

STL130N6F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL130N6F7
  • КорпусPowerFLAT-5x6
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL130N6F7корпус PowerFLAT-5x6тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)130Aмощность (Pd)4.8W；125Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.5mΩ@13A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)42nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.6nF@…
  • PDF STL130N6F7.pdf
Консультация
STN2NF10

STN2NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN2NF10
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN2NF10корпус SOT-223-4тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)2.4Aмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)260mΩ@10V,1.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)14nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)280pF@25Vрабочая температура …
  • PDF STN2NF10.pdf
Консультация
STD6N95K5

STD6N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD6N95K5
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD6N95K5корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.25Ω@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)450pF@100Vрабочая температура -55℃~+…
  • PDF STD6N95K5.pdf
Консультация
STF14N80K5

STF14N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF14N80K5
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF14N80K5корпус TO-220FPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)12Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)445mΩ@6A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)22nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)620pF@100Vрабочая температура -…
  • PDF STF14N80K5.pdf
Консультация
STD35P6LLF6

STD35P6LLF6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD35P6LLF6
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD35P6LLF6корпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Pканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)35Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)28mΩ@10V,17.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)30nC@4.5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.78nF@2…
  • PDF STD35P6LLF6.pdf
Консультация
STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD17NF03LT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD17NF03LT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)17Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.2V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.5nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)320pF@25Vрабочая температура -5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
Консультация
STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD17NF03LT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD17NF03LT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)17Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.2V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.5nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)320pF@25Vрабочая температура -5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
Консультация
STH3N150-2

STH3N150-2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTH3N150-2
  • КорпусH2PAK-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STH3N150-2корпус H2PAK-2тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.5kVпостоянный ток стока (Id)2.5Aмощность (Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)9Ω@10V,1.3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29.3nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STH3N150-2.pdf
Консультация
STN4NF03L

STN4NF03L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN4NF03L
  • КорпусSOT-223-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN4NF03Lкорпус SOT-223-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)6.5Aмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)50mΩ@10V,2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)330pF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STN4NF03L.pdf
Консультация
STD13N60M2

STD13N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD13N60M2
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD13N60M2корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)580pF@100Vрабочая температура -5…
  • PDF STD13N60M2.pdf
Консультация
Всего записей: 446«Предыдущая1... 910111213141516...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd