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Home > All Products > Triode/MOS transistor/transistor
STF33N60M2

STF33N60M2-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTF33N60M2
  • PackageTO-220FP-3
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF33N60M2封装TO-220FP-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)26A功率(Pd)35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)125mΩ@13A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)45.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.781nF@100V工…
  • PDF STF33N60M2.pdf
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STW48N60M2

STW48N60M2-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTW48N60M2
  • PackageTO-247AC-3
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW48N60M2封装TO-247AC-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)42A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)70mΩ@10V,21A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • PDF STW48N60M2.pdf
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STP43N60DM2

STP43N60DM2-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTP43N60DM2
  • PackageTO-220
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP43N60DM2封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)34A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)93mΩ@10V,17A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)56nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.5nF@100V工作温度-…
  • PDF STP43N60DM2.pdf
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STP18N60M2

STP18N60M2-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTP18N60M2
  • PackageTO-220-3
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP18N60M2封装TO-220-3FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）280 毫欧 @ 6.5A，1…
  • PDF STP18N60M2.pdf
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STB60NF06LT4

STB60NF06LT4-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTB60NF06LT4
  • PackageTO-263-2
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB60NF06LT4封装TO-263-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)60A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,30A阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)66nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2nF@25V工作温度-…
  • PDF STB60NF06LT4.pdf
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STF9NK90Z

STF9NK90Z-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTF9NK90Z
  • PackageTO-220F-3
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF9NK90Z封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)40W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.3Ω@10V,3.6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STF9NK90Z.pdf
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STD8N60DM2

STD8N60DM2-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTD8N60DM2
  • PackageDPAK
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD8N60DM2封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)600mΩ@10V,4A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)375pF@100V
  • PDF STD8N60DM2.pdf
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STB35N65DM2

STB35N65DM2-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTB35N65DM2
  • PackageD2PAK
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB35N65DM2封装D2PAKFET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）110 毫欧 @ 14A，10V不…
  • PDF STB35N65DM2.pdf
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STP30NF10

STP30NF10-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTP30NF10
  • PackageTO-220
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP30NF10封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)115W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45Ω@10V,15A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)55nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.18nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP30NF10.pdf
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STW3N150

STW3N150-ST(意法半导体)

  • TypeTriode/MOS transistor/transistor
  • ModelSTW3N150
  • PackageTO-247-3
  • ManufacturerST(意法半导体)
  • Description生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW3N150封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STW3N150.pdf
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