О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
3N90L-TN3-R

3N90L-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3N90L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 3A мощность (Pd) 90W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 3.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 3N90L-TN3-R 系列 3N90L
  • PDF 3N90L-TN3-R.pdf
UT3400G-AE3-R

UT3400G-AE3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT3400G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28 mΩ @ VGS=10V, ID=5.8A 33 mΩ @ VGS=4.5V, ID=5.0A 52 mΩ @ VGS=2.5V, ID=4.0A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3400G-AE3-R 系列 UT3400G
  • PDF UT3400G-AE3-R.pdf
30N06-TN3-R

30N06-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель30N06-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 30A мощность (Pd) 46W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,15A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 30N06-TN3-R 系列 30N06
  • PDF 30N06-TN3-R.pdf
2N60G-CB-AA3-R

2N60G-CB-AA3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N60G-CB-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 44W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A корпус  SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60G-CB-AA3-R 系列 2N60G
  • PDF 2N60G-CB-AA3-R.pdf
7N65KL-TN3-R

7N65KL-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель7N65KL-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 7A мощность (Pd) 55W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@10V,3.5A корпус  TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65KL-TN3-R 系列 7N65
  • PDF 7N65KL-TN3-R.pdf
4N90CL-TF3-T

4N90CL-TF3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N90CL-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4.0A мощность (Pd) 28W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.5 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A корпус  SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N90CL-TF3-T 系列 4N90CL
  • PDF 4N90CL-TF3-T.pdf
UT8205AG-P08-R

UT8205AG-P08-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT8205AG-P08-R
  • КорпусTSSOP-8
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.5W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,6A корпус   TSSOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT8205AG-P08-R 系列 UT8205AG
  • PDF UT8205AG-P08-R.pdf
7N65L-TN3-R

7N65L-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель7N65L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 7A мощность (Pd) 48W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.3 Ω @ VGS=10V, ID=3.5A корпус  TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65L-TN3-R 系列 7N65L
  • PDF 7N65L-TN3-R.pdf
2N60G-LC1-AA3-R

2N60G-LC1-AA3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N60G-LC1-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 2A мощность (Pd) 2.3W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 5.0 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60G-LC1-AA3-R 系列 2N60G
  • PDF 2N60G-LC1-AA3-R.pdf
4N60G-TN3-R

4N60G-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N60G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5 Ω @ VGS = 10 V, ID = 2.2A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N60G-TN3-R 系列 4N60G
  • PDF 4N60G-TN3-R.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 4567891011...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd