Описаниедопустимое напряжение 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 3A мощность (Pd) 90W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 3.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 3N90L-TN3-R серия 3N90L
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28 mΩ @ VGS=10V, ID=5.8A 33 mΩ @ VGS=4.5V, ID=5.0A 52 mΩ @ VGS=2.5V, ID=4.0A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3400G-AE3-R серия UT3400G
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 30A мощность (Pd) 46W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,15A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 30N06-TN3-R серия 30N06
Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 44W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60G-CB-AA3-R серия 2N60G
Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 7A мощность (Pd) 55W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@10V,3.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65KL-TN3-R серия 7N65
Описаниедопустимое напряжение 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4.0A мощность (Pd) 28W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.5 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N90CL-TF3-T серия 4N90CL
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.5W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,6A корпус TSSOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT8205AG-P08-R серия UT8205AG
Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 7A мощность (Pd) 48W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.3 Ω @ VGS=10V, ID=3.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65L-TN3-R серия 7N65L
Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 2A мощность (Pd) 2.3W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 5.0 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60G-LC1-AA3-R серия 2N60G
Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5 Ω @ VGS = 10 V, ID = 2.2A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N60G-TN3-R серия 4N60G