О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
7N70G-TC-TN3-R

7N70G-TC-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель7N70G-TC-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 7A мощность (Pd) 57W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 1.7 Ω @ VGS=10V, ID=3.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N70G-TC-TN3-R 系列 7N70G
  • PDF 7N70G-TC-TN3-R.pdf
50N06L-TA3-T

50N06L-TA3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель50N06L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 50A мощность (Pd) 120W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 23mΩ@10V,25A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 50N06L-TA3-T 系列 50N06L
  • PDF 50N06L-TA3-T.pdf
12N80L-T47-T

12N80L-T47-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель12N80L-T47-T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 12A мощность (Pd) 360W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,6A корпус  TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12N80L-T47-T 系列 12N80L
  • PDF 12N80L-T47-T.pdf
12N70L-TF1-T

12N70L-TF1-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель12N70L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 12A мощность (Pd) 36W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 0.9Ω @ VGS=10V, ID=6.0A корпус  TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12N70L-TF1-T 系列 12N70L
  • PDF 12N70L-TF1-T.pdf
2N65G-TM3-T

2N65G-TM3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N65G-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) ток 2A мощность (Pd) 45W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 5.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N65G-TM3-T 系列 2N65G
  • PDF 2N65G-TM3-T.pdf
4N60KG-TM3-T

4N60KG-TM3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N60KG-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω @VGS = 10 V корпус  TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N60KG-TM3-T 系列 4N60KG
  • PDF 4N60KG-TM3-T.pdf
UTD408L-TN3-R

UTD408L-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUTD408L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 18A мощность (Pd) 2.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 18mΩ@10V,18A корпус  TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTD408L-TN3-R 系列 UTD408L
  • PDF UTD408L-TN3-R.pdf
7N65L-TQ2-R

7N65L-TQ2-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель7N65L-TQ2-R
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 7.4A мощность (Pd) 142W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@10V,3.7A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65L-TQ2-R 系列 7N65L
  • PDF 7N65L-TQ2-R.pdf
4N65L-Q-TMS-T

4N65L-Q-TMS-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N65L-Q-TMS-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.1 Ω @ VGS=10V, ID=2.2A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65L-Q-TMS-T 系列 4N65L
  • PDF 4N65L-Q-TMS-T.pdf
12N65L-TF1-T

12N65L-TF1-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель12N65L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 12A мощность (Pd) 51W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 0.85 Ω @ VGS = 10V, ID = 6.0A корпус TO-220F1 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12N65L-TF1-T 系列 12N65L
  • PDF 12N65L-TF1-T.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 678910111213...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd