О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
18NM65L-TA3-T

18NM65L-TA3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель18NM65L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 18A мощность (Pd) 104W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 0.33 Ω @ VGS=10V, ID=9.0A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 18NM65L-TA3-T 系列 18NM65
  • PDF 18NM65L-TA3-T.pdf
7N80L-TF2-T

7N80L-TF2-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель7N80L-TF2-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 7A мощность (Pd) 52W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.5Ω@10V,2A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N80L-TF2-T 系列 7N80L
  • PDF 7N80L-TF2-T.pdf
7N65L-ML-TF3-T

7N65L-ML-TF3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель7N65L-ML-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 7A мощность (Pd) 35W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.3 Ω @ VGS=10V, ID=3.5A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65L-ML-TF3-T 系列 7N65L
  • PDF 7N65L-ML-TF3-T.pdf
3N80L-TN3-R

3N80L-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3N80L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 3A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) < 4.2Ω @VGS = 10 V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 3N80L-TN3-R 系列 3N80L
  • PDF 3N80L-TN3-R.pdf
4N70L-TF1-T

4N70L-TF1-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N70L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 4.4A мощность (Pd) 36W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,2.2A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N70L-TF1-T 系列 4N70L 4N70L-TF1-T
  • PDF 4N70L-TF1-T.pdf
4N65KG-TC-TN3-R

4N65KG-TC-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N65KG-TC-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 2.5Ω @ VGS=10V, ID=2.0A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65KG-TC-TN3-R 系列 4N65KG
  • PDF 4N65KG-TC-TN3-R.pdf
2N65KL-MT-TF3-T

2N65KL-MT-TF3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N65KL-MT-TF3-T
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 21W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N65KL-MT-TF3-T 系列 2N65KL
  • PDF 2N65KL-MT-TF3-T.pdf
UTT25P10L-TN3-R

UTT25P10L-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUTT25P10L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 25A мощность (Pd) 50W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@10V,25A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTT25P10L-TN3-R 系列 UTT25P10L
  • PDF UTT25P10L-TN3-R.pdf
2N7002-7-F

2N7002-7-F-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N7002-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 115mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002-7-F 系列 2N7002
  • PDF 2N7002-7-F.pdf
2N7002K-7

2N7002K-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N7002K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 380mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002K-7 系列 2N7002K
  • PDF 2N7002K-7.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 7891011121314...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd