О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
4N65L-TA3-T

4N65L-TA3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N65L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω@10V,2.2A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65L-TA3-T 系列 4N65L
  • PDF 4N65L-TA3-T.pdf
UT2305G-AE3-R

UT2305G-AE3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT2305G-AE3-R
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.38W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 53mΩ@10V,4.5A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2305G-AE3-R 系列 UT2305G
  • PDF UT2305G-AE3-R.pdf
UT2305G-AE2-R

UT2305G-AE2-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT2305G-AE2-R
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 830mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2305G-AE2-R 系列 UT2305G
  • PDF UT2305G-AE2-R.pdf
UF630G-TN3-R

UF630G-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUF630G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 9A мощность (Pd) 46W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@10V,5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF630G-TN3-R 系列 UF630G
  • PDF UF630G-TN3-R.pdf
4N120L-TA3-T

4N120L-TA3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N120L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 1200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 140W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.0 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N120L-TA3-T 系列 4N120L
  • PDF 4N120L-TA3-T.pdf
UF630L-TA3-T

UF630L-TA3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUF630L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 9A мощность (Pd) 73W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@10V,5A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF630L-TA3-T 系列 UF630L
  • PDF UF630L-TA3-T.pdf
7NM65G-TN3-R

7NM65G-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель7NM65G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA ток 7A мощность (Pd) 60W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@10V,3.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7NM65G-TN3-R 系列 7NM65G
  • PDF 7NM65G-TN3-R.pdf
2N60L-TN3-R

2N60L-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N60L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 44W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60L-TN3-R 系列 2N60L
  • PDF 2N60L-TN3-R.pdf
2N60L-TM3-T

2N60L-TM3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N60L-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 44W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60L-TM3-T 系列 2N60L
  • PDF 2N60L-TM3-T.pdf
3N90L-TQ2-R

3N90L-TQ2-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3N90L-TQ2-R
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 3A мощность (Pd) 90W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 3.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 3N90L-TQ2-R 系列 3N90L
  • PDF 3N90L-TQ2-R.pdf
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd