О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
2N80L-TN3-R

2N80L-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N80L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 24W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.3Ω@10V,1.2A корпус  TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N80L-TN3-R 系列 2N80L
  • PDF 2N80L-TN3-R.pdf
2N80L-TF1-T

2N80L-TF1-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N80L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 24W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.3Ω@10V,1.2A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N80L-TF1-T 系列 2N80L
  • PDF 2N80L-TF1-T.pdf
05N30G-AE3-R

05N30G-AE3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель05N30G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 0.5A мощность (Pd) 0.6W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5.0 Ω @ VGS=10V, ID=0.25A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 05N30G-AE3-R 系列 05N30G
  • PDF 05N30G-AE3-R.pdf
3N100G-TN3-R

3N100G-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3N100G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 1000V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 3A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5.5Ω @ VGS=10V, ID=1.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 3N100G-TN3-R 系列 3N100G
  • PDF 3N100G-TN3-R.pdf
UT2301G-AE2-R

UT2301G-AE2-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT2301G-AE2-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 450mV@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 1.14W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 130mΩ@4.5V,2.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2301G-AE2-R 系列 UT2301G
  • PDF UT2301G-AE2-R.pdf
UT2301G-AE3-R

UT2301G-AE3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT2301G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 450mV@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 1.14W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 130mΩ@4.5V,2.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2301G-AE3-R 系列 UT2301G
  • PDF UT2301G-AE3-R.pdf
UT3401G-AE3-R

UT3401G-AE3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT3401G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3401G-AE3-R 系列 UT3401G
  • PDF UT3401G-AE3-R.pdf
UT3401ZG-AE3-R

UT3401ZG-AE3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT3401ZG-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3401ZG-AE3-R 系列 UT3401G
  • PDF UT3401ZG-AE3-R.pdf
4N65L-ML-TF3-T

4N65L-ML-TF3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N65L-ML-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 32W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.6 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65L-ML-TF3-T 系列 4N65L
  • PDF 4N65L-ML-TF3-T.pdf
4N65L-Q-TM3-T

4N65L-Q-TM3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель4N65L-Q-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω@10V,2.2A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65L-Q-TM3-T 系列 4N65L
  • PDF 4N65L-Q-TM3-T.pdf
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd