О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
10N65L-TC-TF1-T

10N65L-TC-TF1-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель10N65L-TC-TF1-T
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) < 0.86Ω@VGS =10V ток 10A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.2Ω@10V,5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 10N65L-TC-TF1-T 系列 10N65L
  • PDF 10N65L-TC-TF1-T.pdf
10N65L-ML-TF1-T

10N65L-ML-TF1-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель10N65L-ML-TF1-T
  • КорпусTO-220F-1
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) < 0.86Ω@VGS =10V ток 10A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.2Ω@10V,5A корпус TO-220F-1 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 10N65L-ML-TF1-T 系列 10N65L
  • PDF 10N65L-ML-TF1-T.pdf
14N50L-TQ2-R

14N50L-TQ2-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель14N50L-TQ2-R
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@100uA ток 14A мощность (Pd) 150W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 500mΩ@10V,7A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 14N50L-TQ2-R 系列 14N50L
  • PDF 14N50L-TQ2-R.pdf
14N50L-TF3-T

14N50L-TF3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель14N50L-TF3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@100uA ток 14A мощность (Pd) 150W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 500mΩ@10V,7A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 14N50L-TF3-T 系列 14N50L
  • PDF 14N50L-TF3-T.pdf
1N60L-T92-K

1N60L-T92-K-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель1N60L-T92-K
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.5Ω@10V,600mA корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60L-T92-K 系列 1N60L
  • PDF 1N60L-T92-K.pdf
1N60G-AA3-R

1N60G-AA3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель1N60G-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1A мощность (Pd) 8W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12Ω@10V,500mA корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60G-AA3-R 系列 1N60L
  • PDF 1N60G-AA3-R.pdf
1N60L-TN3-R

1N60L-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель1N60L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 28W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.5Ω@10V,600mA корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60L-TN3-R 系列 1N60L
  • PDF 1N60L-TN3-R.pdf
1N60L-T92-B

1N60L-T92-B-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель1N60L-T92-B
  • КорпусTO-92
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 28W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.5Ω@10V,600mA корпус TO-92 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60L-T92-B 系列 1N60L
  • PDF 1N60L-T92-B.pdf
UT3404G-AE3-R

UT3404G-AE3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT3404G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3404G-AE3-R 系列 UT3404G
  • PDF UT3404G-AE3-R.pdf
UTM2054G-AB3-R

UTM2054G-AB3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUTM2054G-AB3-R
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.47W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,5A корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTM2054G-AB3-R 系列 UTM2054G
  • PDF UTM2054G-AB3-R.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая12345678...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd