О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
UF640L-TF3-T

UF640L-TF3-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUF640L-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 18A мощность (Pd) 40W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@10V,10A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF640L-TF3-T 系列 UF640L
  • PDF UF640L-TF3-T.pdf
Консультация
UT9435HG-AA3-R

UT9435HG-AA3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUT9435HG-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5.3A мощность (Pd) 2.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,5.3A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT9435HG-AA3-R 系列 UT9435
  • PDF UT9435HG-AA3-R.pdf
Консультация
UK2962L-T9N-B

UK2962L-T9N-B-UTC

Консультация
2N7002KG-AE2-R

2N7002KG-AE2-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N7002KG-AE2-R
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 300mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,300mA корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N7002KG-AE2-R 系列 2N7002
  • PDF 2N7002KG-AE2-R.pdf
Консультация
2N7002G-AE2-R

2N7002G-AE2-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N7002G-AE2-R
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 200mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@300m,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N7002G-AE2-R 系列 2N7002
  • PDF 2N7002G-AE2-R.pdf
Консультация
2N7002ZDWG-AL6-R

2N7002ZDWG-AL6-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N7002ZDWG-AL6-R
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 300mA мощность (Pd) 200mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@300m,10V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N7002ZDWG-AL6-R 系列 2N7002
  • PDF 2N7002ZDWG-AL6-R.pdf
Консультация
15NM70G-U2-TN3-R

15NM70G-U2-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель15NM70G-U2-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA ток 15A мощность (Pd) 77W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@10V,7.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 15NM70G-U2-TN3-R 系列 15NM70G
  • PDF 15NM70G-U2-TN3-R.pdf
Консультация
UTM6016G-SO8-R

UTM6016G-SO8-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельUTM6016G-SO8-R
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 8A мощность (Pd) 5.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@10V,8A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTM6016G-SO8-R 系列 UTM6016G
  • PDF UTM6016G-SO8-R.pdf
Консультация
15N10L-TN3-R

15N10L-TN3-R-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель15N10L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 14.7A мощность (Pd) 37.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@10V,8A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 15N10L-TN3-R 系列 15N10L
  • PDF 15N10L-TN3-R.pdf
Консультация
10N65L-TF1-T

10N65L-TF1-T-UTC

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель10N65L-TF1-T
  • КорпусTO-220F1
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) < 0.86Ω@VGS =10V ток 10A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.2Ω@10V,5A корпус TO-220F1 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 10N65L-TF1-T 系列 10N65L
  • PDF 10N65L-TF1-T.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1234567...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd