О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
DMP45H4D9HK3-13

DMP45H4D9HK3-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP45H4D9HK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 450V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA 电流 4.7A 功率(Pd) 104W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.9Ω@1.05A,10V 封装 TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP45H4D9HK3-13 系列 DMP45H4D9HK3
  • PDF DMP45H4D9HK3-13.pdf
DMP3098LQ-7

DMP3098LQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP3098LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.08W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP3098LQ-7 系列 DMP3098LQ
  • PDF DMP3098LQ-7.pdf
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP6180SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.7V@250uA 电流 14A 功率(Pd) 1.7W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A 封装 TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP6180SK3-13 系列 DMP6180SK3
  • PDF DMP6180SK3-13.pdf
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMN6A07FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 1.2A 功率(Pd) 625mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@1.8A,10V 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES ZXMN6A07FTA 系列 ZXMN6A07FTA
  • PDF ZXMN6A07FTA.pdf
DMG3420U-7

DMG3420U-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG3420U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA 电流 5.47A 功率(Pd) 740mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG3420U-7 系列 DMG3420U
  • PDF DMG3420U-7.pdf
DMP3028LFDE-13

DMP3028LFDE-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP3028LFDE-13
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A 封装 DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP3028LFDE-13 系列 DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-13.pdf
DMG2307LQ-7

DMG2307LQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG2307LQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 2.5A 功率(Pd) 760mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@2.5A,10V 封装 SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG2307LQ-7 系列 DMG2307LQ
  • PDF DMG2307LQ-7.pdf
DMN4035L-7

DMN4035L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN4035L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 720mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 42mΩ@10V,4.3A 封装  SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN4035L-7 系列 DMN4035L
  • PDF DMN4035L-7.pdf
DMPH6050SK3Q-13

DMPH6050SK3Q-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMPH6050SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 7.2A;23.6A 功率(Pd) 1.9W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,7A 封装 TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMPH6050SK3Q-13 系列 DMPH6050SK3Q
  • PDF DMPH6050SK3Q-13.pdf
DMP2240UDM-7

DMP2240UDM-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP2240UDM-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 600mW 沟道 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,2A 封装 SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP2240UDM-7 系列 DMP2240UDM
  • PDF DMP2240UDM-7.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 1718192021222324...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd