О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN13H750S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 130V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 1A 功率(Pd) 770mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@10V,2A 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN13H750S-7 系列 DMN13H750S
  • PDF DMN13H750S-7.pdf
Консультация
DMP2165UW-7

DMP2165UW-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP2165UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 2.5A 功率(Pd) 500mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,1.5A 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMP2165UW-7 系列 DMP2165UW
  • PDF DMP2165UW-7.pdf
Консультация
DMG6968U-7

DMG6968U-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG6968U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMG6968U-7 系列 DMG6968U
  • PDF DMG6968U-7.pdf
Консультация
BSS84DW-7-F

BSS84DW-7-F-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBSS84DW-7-F
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装  SOT-363-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES BSS84DW-7-F 系列 BSS84DW
  • PDF BSS84DW-7-F.pdf
Консультация
DMN2005K-7

DMN2005K-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN2005K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@100uA 电流 300mA 功率(Pd) 350mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.7Ω@2.7V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN2005K-7 系列 DMN2005K
  • PDF DMN2005K-7.pdf
Консультация
ZXMP6A17GTA

ZXMP6A17GTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMP6A17GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 2W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES ZXMP6A17GTA 系列 ZXMP6A17GTA
  • PDF ZXMP6A17GTA.pdf
Консультация
ZVP3310FTA

ZVP3310FTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZVP3310FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA 电流 75mA 功率(Pd) 330mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20Ω@10V,150mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES ZVP3310FTA 系列 ZVP3310FTA
  • PDF ZVP3310FTA.pdf
Консультация
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG1013UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 820mA 功率(Pd) 310mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@4.5V,430mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMG1013UW-7 系列 DMG1013UW
  • PDF DMG1013UW-7.pdf
Консультация
DMP4047LFDE-7

DMP4047LFDE-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP4047LFDE-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA 电流 3.3A 功率(Pd) 700mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 33mΩ@10V,4.4A 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMP4047LFDE-7 系列 DMP4047LFDE
  • PDF DMP4047LFDE-7.pdf
Консультация
DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP2022LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 2.5W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMP2022LSS-13 系列 DMP2022LSS
  • PDF DMP2022LSS-13.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 1415161718192021...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd