Описаниедопустимое напряжение 130V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1A мощность (Pd) 770mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@10V,2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN13H750S-7 серия DMN13H750S
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.5A мощность (Pd) 500mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,1.5A корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2165UW-7 серия DMP2165UW
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6968U-7 серия DMG6968U
Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 300mW канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус SOT-363-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84DW-7-F серия BSS84DW
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@100uA ток 300mA мощность (Pd) 350mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.7Ω@2.7V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2005K-7 серия DMN2005K
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A17GTA серия ZXMP6A17GTA
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 75mA мощность (Pd) 330mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20Ω@10V,150mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP3310FTA серия ZVP3310FTA
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 820mA мощность (Pd) 310mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@4.5V,430mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1013UW-7 серия DMG1013UW
Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA ток 3.3A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 33mΩ@10V,4.4A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4047LFDE-7 серия DMP4047LFDE
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA ток 10A мощность (Pd) 2.5W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2022LSS-13 серия DMP2022LSS