О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
ZVN3320FTA

ZVN3320FTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZVN3320FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 60mA мощность (Pd) 330mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25Ω@10V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN3320FTA серия ZVN3320FTA
  • PDF ZVN3320FTA.pdf
Консультация
DMG2302U-7

DMG2302U-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG2302U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@50uA ток 4.2A мощность (Pd) 800mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2302U-7 серия DMG2302U
  • PDF DMG2302U-7.pdf
Консультация
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN53D0L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@500mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0L-7 серия DMN53D0L
  • PDF DMN53D0L-7.pdf
Консультация
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN26D0UT-7
  • КорпусSOT-523-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 230mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA корпус SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN26D0UT-7 серия DMN26D0UT
  • PDF DMN26D0UT-7.pdf
Консультация
ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXM61N03FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.4A мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@10V,910mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61N03FTA серия ZXM61N03FTA
  • PDF ZXM61N03FTA.pdf
Консультация
DMP2045U-7

DMP2045U-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP2045U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.3A мощность (Pd) 800mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2045U-7 серия DMP2045U
  • PDF DMP2045U-7.pdf
Консультация
BSS123W-7-F

BSS123W-7-F-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBSS123W-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 200mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA корпус  SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123W-7-F серия BSS123W
  • PDF BSS123W-7-F.pdf
Консультация
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN24H3D5L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 240V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 480mA мощность (Pd) 760mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,300mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN24H3D5L-7 серия DMN24H3D5L
  • PDF DMN24H3D5L-7.pdf
Консультация
DMP4015SK3Q-13

DMP4015SK3Q-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP4015SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 14A; 35A мощность (Pd) 3.5W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SK3Q-13 серия DMP4015SK3Q
  • PDF DMP4015SK3Q-13.pdf
Консультация
DMG1013T-7

DMG1013T-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG1013T-7
  • КорпусSOT-523
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 460mA мощность (Pd) 270mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@4.5V,350mA корпус SOT-523 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1013T-7 серия DMG1013T
  • PDF DMG1013T-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 1314151617181920...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd