О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMHT6016LFJ-13
  • КорпусDFN-12(4.5x5)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 14.8A 功率(Pd) 1.16W 沟道 4个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 22mΩ@10V,10A 封装 DFN-12(4.5x5) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMHT6016LFJ-13 系列 DMHT6016LFJ
  • PDF DMHT6016LFJ-13.pdf
Консультация
DMP510DL-7

DMP510DL-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP510DL-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 180mA 功率(Pd) 310mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMP510DL-7 系列 DMP510DL
  • PDF DMP510DL-7.pdf
Консультация
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN63D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 350mA 功率(Pd) 350mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN63D8L-7 系列 DMN63D8L
  • PDF DMN63D8L-7.pdf
Консультация
BS250P

BS250P-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBS250P
  • КорпусTO-92L
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 45V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA 电流 230mA 功率(Pd) 700mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA 封装 TO-92L 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES BS250P 系列 BS250P
  • PDF BS250P.pdf
Консультация
DMN6140L-7

DMN6140L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN6140L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 700mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN6140L-7 系列 DMN6140L
  • PDF DMN6140L-7.pdf
Консультация
2N7002A-7

2N7002A-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N7002A-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 180mA 功率(Pd) 370mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@5V,115mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES 2N7002A-7 系列 2N7002A
  • PDF 2N7002A-7.pdf
Консультация
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN67D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA 电流 210mA 功率(Pd) 340mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN67D8L-7 系列 DMN67D8L
  • PDF DMN67D8L-7.pdf
Консультация
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG6602SVT-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.3V@250uA 电流 3.4A；2.8A 功率(Pd) 840mW 沟道 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@3.1A,10V 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMG6602SVT-7 系列 DMG6602SVT
  • PDF DMG6602SVT-7.pdf
Консультация
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMT3009LDT-7
  • КорпусV-DFN3030-8K
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 30A 功率(Pd) 1.2W 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.1mΩ@10V,14.4A 封装 V-DFN3030-8K 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMT3009LDT-7 系列 DMT3009LDT
  • PDF DMT3009LDT-7.pdf
Консультация
ZVP1320FTA

ZVP1320FTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZVP1320FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA 电流 35mA 功率(Pd) 350mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80Ω@10V,50A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES ZVP1320FTA 系列 ZVP1320FTA
  • PDF ZVP1320FTA.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 1516171819202122...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd