Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 900mA мощность (Pd) 450mW канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 260mΩ@4.5V,880mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2200UDW-7 серия DMP2200UDW
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.7V@250uA ток 14A мощность (Pd) 1.7W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6180SK3Q-13 серия DMP6180SK3Q
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 5.6A мощность (Pd) 1.8W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,3.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3032LE-13 серия DMN3032LE
Описаниедопустимое напряжение 45V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 90mA мощность (Pd) 330mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS250FTA серия BS250FTA
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.1A мощность (Pd) 2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6068SE-13 серия DMN6068SE
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.8V@250uA ток 1A мощность (Pd) 320mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 190mΩ@10V,1.3A корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3190LDW-7 серия DMN3190LDW
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 720mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 26.5mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3042L-7 серия DMN3042L
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6.6A мощность (Pd) 1.2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LSS-13 серия DMP6023LSS
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@10V,1.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN10A07FTA серия ZXMN10A07FTA
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 3.3A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 72mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3068L-7 серия DMP3068L