Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 630mA мощность (Pd) 350mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004K-7 серия DMN2004K
Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10.3A мощность (Pd) 1W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4013LFG-7 серия DMP4013LFG
Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 360mA мощность (Pd) 310mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@500mA,10V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LDW-13 серия DMN53D0LDW
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 270mA мощность (Pd) 380mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H4D2S-7 серия DMP10H4D2S
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.6V@250uA ток 7.5A мощность (Pd) 1.17W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@10V,9A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4800LSD-13 серия DMG4800LSD
Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 20A мощность (Pd) 1.6W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,4.4A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4047SK3-13 серия DMP4047SK3
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@1mA ток 100mA мощность (Pd) 330mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN3310FTA серия ZVN3310FTA
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3A мощность (Pd) 1.2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6185SE-13 серия DMP6185SE
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 150uA мощность (Pd) 330mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS170FTA серия BS170FTA
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6A мощность (Pd) 2.12W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6068LK3-13 серия DMN6068LK3