Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 380mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8LW-13 серия DMN63D8LW
Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 350mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN5L06K-7 серия DMN5L06K
Описаниедопустимое напряжение 80V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 100A мощность (Pd) 2.9W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.9mΩ@10V,30A корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH8003SPS-13 серия DMTH8003SPS
Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138Q-7-F серия BSS138Q
Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 9.1A мощность (Pd) 1.45W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SSS-13 серия DMP4015SSS
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 600mA мощность (Pd) 625mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@600mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A13FQTA серия ZXMP10A13FQTA
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 1.03A; 700mA мощность (Pd) 450mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@4.5V,200mA; 700mΩ@4.5V,100mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2400UV-13 серия DMC2400UV
Описаниепроизводитель DIODES категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)серия DMC2004DWK тип монтажа SMT корпус SOT-363-6 пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uA ток 540mA; 430mA мощность (Pd)250mW допустимое напряжение 20V сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)400mΩ@4.5V,540mA; 700mΩ@4.5V,430mA канал 1 N и 1 P
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 360mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123TA серия BSS123TA
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 340mA мощность (Pd) 320mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN61D9UW-7 серия DMN61D9UW