О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN63D8LW-13
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 380mA 功率(Pd) 300mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA 封装 SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN63D8LW-13 系列 DMN63D8LW
  • PDF DMN63D8LW-13.pdf
DMN5L06K-7

DMN5L06K-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN5L06K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 300mA 功率(Pd) 350mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA 封装  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN5L06K-7 系列 DMN5L06K
  • PDF DMN5L06K-7.pdf
DMTH8003SPS-13

DMTH8003SPS-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMTH8003SPS-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 80V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 100A 功率(Pd) 2.9W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.9mΩ@10V,30A 封装 PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMTH8003SPS-13 系列 DMTH8003SPS
  • PDF DMTH8003SPS-13.pdf
BSS138Q-7-F

BSS138Q-7-F-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBSS138Q-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 300mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS138Q-7-F 系列 BSS138Q
  • PDF BSS138Q-7-F.pdf
DMP4015SSS-13

DMP4015SSS-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP4015SSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA 电流 9.1A 功率(Pd) 1.45W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A 封装 SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP4015SSS-13 系列 DMP4015SSS
  • PDF DMP4015SSS-13.pdf
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMP10A13FQTA
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 600mA 功率(Pd) 625mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@600mA,10V 封装 SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES ZXMP10A13FQTA 系列 ZXMP10A13FQTA
  • PDF ZXMP10A13FQTA.pdf
DMC2400UV-13

DMC2400UV-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMC2400UV-13
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA 电流 1.03A;700mA 功率(Pd) 450mW 沟道 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@4.5V,200mA;700mΩ@4.5V,100mA 封装 SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMC2400UV-13 系列 DMC2400UV
  • PDF DMC2400UV-13.pdf
DMC2004DWK-7

DMC2004DWK-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMC2004DWK-7
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниепроизводитель DIODESкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)系列DMC2004DWKтип монтажа SMTкорпус SOT-363-6пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uA电流540mA;430mA功率(Pd)250mW耐压20Vсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)400mΩ@4.5V,540mA;700mΩ@4.5V,430mA沟道1个N和1个P
  • PDF DMC2004DWK-7.pdf
BSS123TA

BSS123TA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBSS123TA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 360mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,100mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS123TA 系列 BSS123TA
  • PDF BSS123TA.pdf
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN61D9UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 340mA 功率(Pd) 320mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA 封装 SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN61D9UW-7 系列 DMN61D9UW
  • PDF DMN61D9UW-7.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 1920212223242526...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd