Описаниедопустимое напряжение 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 310mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN30H4D0L-7 серия DMN30H4D0L
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@10V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3402L-7 серия DMG3402L
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 900mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3023L-7 серия DMN3023L
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 9A мощность (Pd) 42W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 240mΩ@10V,5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H400SK3-13 серия DMP10H400SK3
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 940mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 38mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2056U-7 серия DMN2056U
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2305U-7 серия DMP2305U
Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 800mV@250uA ток 9.3A мощность (Pd) 680mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10mΩ@4V,9.7A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1019USN-7 серия DMN1019USN
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 800mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 62mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2120U-7 серия DMP2120U
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 900mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3415UQ-7 серия DMG3415UQ
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6A; 4.2A мощность (Pd) 1.5W канал 2 N и 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHC3025LSD-13 серия DMHC3025LSD