Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 600mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.8Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSN20-7 серия BSN20
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2A мощность (Pd) 800mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 85mΩ@10V,3.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6075S-7 серия DMN6075S
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.3W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SSD-13 серия DMN6040SSD
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6140L-13 серия DMN6140L
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.6A мощность (Pd) 810mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2035U-7 серия DMP2035U
Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 200mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84W-7-F серия BSS84W
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 310mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN65D8L-7 серия DMN65D8L
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 1.4A мощность (Pd) 1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@10V,1.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H220L-7 серия DMN10H220L
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.3A; 6A мощность (Pd) 2W; 13.7W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@10V,5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H400SE-13 серия DMP10H400SE
Описаниедопустимое напряжение 60V; 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA; 2V@1mA ток 115mA; 130mA мощность (Pd) 200mW канал 1 N;1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.2Ω@5V,0.05A; 10Ω@5V,0.1A корпус SOT-363-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS8402DW-7-F серия BSS8402DW